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Keysight Technologies Anuncia su Tablero de Pruebas GaN

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Ofrece caracterización fiable y repetible de semiconductores wide-bandgap para reducir los ciclos de prototipado y apresurar la introducción de nuevos productos.

Keysight Technologies ha anunciado un tablero de pruebas a la medida para dispositivos GaN para su analizador de dispositivos de potencia activa / tester de doble pulso (PD1500A) que ofrece caracterización de dispositivos fiable y repetible. Merced a este útil de medida los diseñadores de conversores de potencia, tanto en Fabricantes Originales de Equipos (OEM) como en Distribuidores Primordiales de Piezas y Recursos (Tier uno, pueden reducir los ciclos de prototipado y apresurar la introducción de nuevos productos al mercado.

Los conversores de potencia son un componente clave para la electrificación del transporte, la energía renovable y el mercado de la industria. Para la movilidad eléctrica (y también-Mobility), la primordial aplicación del conversor de potencia (por poner un ejemplo, inversores de tracción) es la conversión eficaz de la potencia guardada en la batería de alta tensión de los automóviles eléctricos (VE) para activar el motor AC. Hay otras muchas aplicaciones para los conversores de potencia en los VE (véase la figura), incluyendo el cargador interno, que es el link clave para las aplicaciones entre el vehículo y la red de nutrición.

Para facilitar avances en el diseño de conversores de potencia, se comercializan nuevas tecnologías basadas en semiconductores wide-bandgap (WBG), que dan mejoras en velocidad, tensión, y operación térmica, lo que resulta en mejoras de eficacia reduciendo el peso y el tamaño.

No obstante, estos conversores de potencia de altas posibilidades son bastante difíciles de diseñar, lo que demora la innovación en los VE.

Para ofrecer una caracterización fiable y consistente de semiconductores WBG, Keysight ha desarrollado la plataforma PD1500A para análisis de dispositivos de potencia activa. Esta plataforma modular deja la caracterización tanto de dispositivos de potencia basados en carburo de silicio (SiC) como dispositivos de silicio (Si). Y, ahora, con el tablero de pruebas a la medida para GaN, los clientes del servicio disponen de exactamente la misma caracterización fiable y repetible para estos dispositivos que conmutan a mayor velocidad.

En la actualidad, la tecnología GaN está centrada en los cargadores internos y en los conversores DC:DC en los VE. No obstante, con la llegada de los dispositivos GaN verticales, las esperanzas señalan que las tensiones de funcionamiento alcanzarán valores afines a los de dispositivos SiC, de 1.2kV y superiores, haciendo de la tecnología GaN un aspirante potencial para aplicaciones de mayor potencia en y también-Mobility.
La ciencia de medida de Keysight ofrece una solución libre de manera comercial para la caracterización fiable y repetible de dispositivos de potencia GaN, acelerando la capacidad de los OEM y de los Tier 1 para introducir al mercado EV competitivos.

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