Toshiba lanza MOSFETs de potencia N-channel de 40 V en encapsulado SOP Advance(EWF) para mejorar la eficiencia en aplicaciones de automoción
Los nuevos MOSFET incorporan una estructura sin postes internos y una arquitectura de acoplamiento de fuente para alcanzar corrientes de hasta 180 A y mejorar el rendimiento térmico
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha anunciado el lanzamiento de tres nuevos MOSFETs de potencia N-channel de 40 V: el XPMR5904PB, ya disponible, y los modelos XPMR7404PB y XPMR8504PB, cuya disponibilidad se producirá próximamente. Estos dispositivos emplean el nuevo encapsulado SOP Advance(EWF) y están diseñados para aplicaciones exigentes de automoción, incluyendo inversores, relés semiconductores, interruptores de carga y accionamientos para motores.
La característica más destacada del XPMR5904PB es la integración del encapsulado SOP Advance(EWF), que utiliza una estructura post-less en la que el chip se conecta a los terminales externos mediante un clip de cobre en lugar de postes internos. Este cambio arquitectónico elimina dichos postes y reduce significativamente la resistencia del trayecto de corriente.
Además, el dispositivo incorpora una estructura de acoplamiento de fuente (source-coupled structure) que conecta los terminales de fuente en la cara inferior del encapsulado, aumentando la superficie de contacto con el patrón de cobre de la PCB. Esta optimización estructural interna amplía el área útil disponible para el chip y mejora la capacidad de conducción de corriente, permitiendo que el XPMR5904PB alcance una corriente de drenador continua de 180 A, aproximadamente 1,2 veces superior a la de productos existentes con encapsulados similares SOP Advance(WF).
Las prestaciones eléctricas se han optimizado para responder a los requisitos de alta corriente del sector automovilístico y mejorar la eficiencia energética. Comparado con el modelo XPHR7904PS, el XPMR5904PB ofrece una reducción aproximada del 25 % en la resistencia en conducción drenador-fuente (RDS(ON)), junto con una disminución cercana al 38 % en la impedancia térmica canal-carcasa (Zth(ch−c)). Estas mejoras contribuyen directamente a reducir las pérdidas de potencia y aumentar la eficiencia de los sistemas electrónicos de automoción.
Para reforzar la fiabilidad en fabricación y facilitar los procesos de inspección, el encapsulado SOP Advance(EWF) es un dispositivo de montaje superficial diseñado con estructura wettable flank. Esta característica mejora la visibilidad del menisco de soldadura, facilitando la verificación de las condiciones de montaje mediante sistemas de inspección óptica automatizada (AOI). De este modo, se automatizan las tareas de inspección en línea y se garantiza el cumplimiento de los estrictos requisitos de calidad definidos por la norma AEC-Q101 para componentes electrónicos de automoción.
Toshiba mantiene su compromiso de ampliar su catálogo de semiconductores de potencia y ofrecer MOSFETs de altas prestaciones para automoción, apoyando una amplia variedad de aplicaciones del sector y contribuyendo al objetivo de neutralidad de carbono.
Para obtener más información sobre los nuevos MOSFETs N-channel de 40 V, puede consultarse la web de Toshiba:
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