Toshiba presenta nuevos MOSFET de canal P de -60 V
Los nuevos dispositivos reducirán el consumo de energía en aplicaciones de automoción
Toshiba Electronics Europe GmbH anuncia la disponibilidad de otros dos MOSFET de canal P de -60 V basados en su proceso U-MOS VI. Esto ampliará su gama de dispositivos adecuados para su uso en aplicaciones de automoción como conmutadores de carga, relés semiconductores y accionamientos de motor.
Los nuevos XPH8R316MC y XPH13016MC ya cumplen la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101. Como parte de ello, están alojados en un encapsulado SOP Advance (WF), un tipo de SMT con una estructura de terminales de flanco humectable. Esto facilita la inspección óptica automatizada (AOI) de las juntas de soldadura, clave para la fiabilidad en entornos de automoción adversos. Una ventaja adicional es la conectividad de cobre dentro del encapsulado, que reduce la resistencia del encapsulado, mejora la eficiencia y reduce la acumulación de calor.
El XPH8R316MC está preparado para una corriente de drenaje continua (ID) de -90 A y el XPH13016MC está preparado para una ID de -60 A. La corriente de drenaje pulsada (IDP) es el doble de estos valores, -180 A y -120 A, respectivamente. Ambos dispositivos están preparados para una tensión de drenaje-fuente (VDSS) de -60 V y pueden funcionar a temperaturas de canal (Tch) de hasta 175 ºC.
La resistencia de encendido de drenaje-fuente máxima (RDS(ON)) del XPH8R316MC es de 8,3mΩ, aproximadamente un 25% inferior a la del TPCA8123 existente de Toshiba. En el caso del XPH13016MC, el valor es de 12,9mΩ, aproximadamente un 49% inferior al del TPCA8125. Estos valores tan reducidos de RDS(ON) contribuyen significativamente a reducir el consumo de energía dentro de las aplicaciones de automoción.
Los nuevos dispositivos se están fabricando en serie.
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