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Toshiba presenta nuevos MOSFET de canal P de -60 V

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Los nuevos dispositivos reducirán el consumo de energía en aplicaciones de automoción Toshiba Electronics Europe GmbH anuncia la disponibilidad de otros dos MOSFET de canal...
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Los MOSFET compactos SOT-223-3 de 600 V de ROHM contribuyen a lograr diseños más...

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La gama de 5 modelos ofrece características de bajo ruido, conmutación de alta velocidad y tiempo de recuperación inversa rápido ROHM ha añadido una gama...
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Nuevos relés MOSFET que aumentan la capacidad y la temperatura de funcionamiento

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Omron Electronic Components Europe ha vuelto a expandir su línea de relés MOSFET para ofrecer una temperatura de funcionamiento más elevada y una mayor...
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Las fichas técnicas interactivas e intuitivas permiten modelar MOSFETs multidimensionales al instante

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Cuando un diseñador busca un MOSFET discreto para realizar una función específica en una aplicación, la primera opción suele ser la ficha técnica o...

Los nuevos MOSFET super-junction de 600 V de ROHM combinan unas características de ruido...

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Los nuevos MOSFET super-junction de 600 V de ROHM combinan unas características de ruido líderes en su clase con el tiempo de recuperación inversa...
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Toshiba lanza la serie de MOSFET de potencia de canal N super junction de...

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El primer dispositivo de la serie DTMOSVI de 600 V favorece el ahorro de energía al reducir la pérdida de potencia en fuentes de...
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Nuevo MOSFET U-MOS X-H de 150 V y alto rendimiento de Toshiba

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La recuperación inversa mejorada reduce significativamente las pérdidas por rectificación síncrona Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo MOSFET de potencia de canal...
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Nuevos relés MOSFET con mayores niveles de rigidez dieléctrica y sensibilidad

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Omron Electronic Components Europe ha vuelto a ampliar su serie G3VM de relés MOSFET con modelos que incrementan la sensibilidad y la rigidez dieléctrica....
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Los nuevos MOSFET de potencia de canal N aprovechan las avanzadas capacidades de disipación...

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Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto...

Cómo aplicar los MOSFET de SiC de tercera generación a los diseños de potencia...

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Existe un impulso incesante para lograr una mayor eficiencia, un tamaño más reducido y un mayor rendimiento en aplicaciones de energía como los controladores...