La generación U-MOS11-H ofrece un rendimiento con bajas pérdidas y una elevada capacidad de corriente de drenaje en un encapsulado compacto de 4,9 x 6,1 mm
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado el TPM1R408RH, un MOSFET de potencia de canal N de 80 V basado en la última tecnología de proceso U-MOS11-H de la empresa. Diseñado para fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta eficiencia destinadas a equipos de centros de datos y estaciones base de comunicaciones, el nuevo dispositivo combina una resistencia en estado activo (RDS(ON)) ultrabaja con un rendimiento de conmutación rápido para ayudar a los diseñadores a mejorar la eficiencia del sistema y reducir las pérdidas de potencia.
En comparación con el TPM1R908QM, un producto de 80 V fabricado con el proceso U-MOS X-H de la generación anterior, el TPM1R408RH alcanza un RDS(ON) aproximadamente un 26 % menor, de 1,4 mΩ (máx.) con una tensión puerta-fuente (VGS) de 10 V y una corriente de drenaje (ID) de 50 A, lo que ayuda a minimizar las pérdidas por conducción en diseños de potencia exigentes.
Para mejorar aún más la eficiencia, el nuevo MOSFET optimiza el equilibrio entre RDS(ON) y la carga total de la puerta (Qg), alcanzando los 80 nC. El índice de mérito (FOM) [RDS(ON) × Qg] es aproximadamente un 45 % menor (1,4 mΩ × 80 nC = 112 mΩ·nC) en comparación con el TPM1R908QM (1,9 mΩ × 108 nC = 205,2 mΩ·nC). Estas características reducen las pérdidas de conmutación y suprimen los picos de tensión generados entre el drenaje y la fuente durante la conmutación, lo que contribuye a reducir las interferencias electromagnéticas (EMI) y permite una conmutación de alta velocidad en las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
El TPM1R408RH admite una tensión drenaje-fuente de 80 V y una corriente máxima de drenaje (ID) de 288A (Tc = 25°C lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales de alta corriente. El dispositivo se presenta en el encapsulado compacto SOP Advance(E) de Toshiba, que reduce la resistencia del encapsulado en aproximadamente un 65 % y la resistencia térmica en aproximadamente un 15 % en comparación con el encapsulado SOP Advance(N) existente, lo que permite diseños de sistemas que aprovechan mejor el espacio.
Toshiba también ofrece herramientas que facilitan el diseño de circuitos para fuentes de alimentación conmutadas. Además del modelo G0 SPICE que verifica rápidamente el funcionamiento del circuito, ya están disponibles modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen las características transitorias.
Toshiba seguirá ampliando su gama de MOSFET de potencia que mejoran la eficiencia de las fuentes de alimentación, contribuyendo así a reducir el consumo energético de los equipos.
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