ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx
En los sectores de los centros de datos y los equipos industriales, la demanda de energía sigue aumentando a medida que se incrementan las cargas de procesamiento, lo que está impulsando una fuerte demanda de una mayor eficiencia de las fuentes de alimentación para reducir tanto el consumo de energía como la generación de calor. Al mismo tiempo, a medida que las aplicaciones se hacen más pequeñas, los circuitos de alimentación eléctrica deben alcanzar una mayor densidad de potencia y un mayor ahorro de espacio, al tiempo que proporcionan una mayor potencia de salida en un espacio limitado.
Para cumplir estos requisitos, los MOSFET de super-junction deben ofrecer unas pérdidas aún menores y un mejor rendimiento térmico, lo que está impulsando una adopción cada vez más extendida de encapsulados de montaje superficial con una excelente disipación del calor. Además, desde el punto de vista de la reducción del riesgo de aprovisionamiento, en los últimos años se ha vuelto esencial contar con estrategias de abastecimiento multifuente y disponer de proveedores alternativos, lo que convierte en requisito importante contar con una alta compatibilidad con los productos estándares existentes.
Los nuevos productos —las series R60xxXNx y PrestoMOS™ R60xxWNx— amplían la gama de encapsulados existente con los encapsulados de montaje superficial DFN8080-5L (8,0 × 8,0 × 0,85 mm) y TOLL (11,68 × 9,9 × 2,3 mm). Gracias a su diseño compacto y de perfil bajo, así como a su excelente disipación del calor, estos encapsulados son ideales para aplicaciones que requieren un ahorro de espacio y una mayor densidad de potencia, como las fuentes de alimentación para servidores de IA y equipos industriales.
En cuanto a sus características, la tensión umbral de compuerta (VGS(th)) necesaria para activar el MOSFET se ha fijado en un rango de entre 3 V y 5 V, muy utilizado en productos estándar, lo que permite adaptarse a una amplia variedad de condiciones de funcionamiento. Además, las características de admitancia mejoradas ofrecen una mayor versatilidad y menores pérdidas, en comparación con los modelos convencionales de las series R60xxYNx y PrestoMOS™ R60xxVNx. Los encapsulados de montaje superficial con una huella estándar en el mercado garantizan una excelente versatilidad, al tiempo que facilitan su sustitución en los circuitos de alimentación eléctrica existentes y la selección de fuentes alternativas.
La gama está compuesta por 21 modelos de la serie R60xxXNx, de conmutación de alta velocidad, y 11 modelos de la serie PrestoMOS™ R60xxWNx, que ofrece unas características de recuperación de alta velocidad líderes en su clase*. Los usuarios pueden seleccionar el producto óptimo en función de las necesidades de su aplicación, desde productos adecuados para diseños que dan prioridad a la compatibilidad hasta aquellos adecuados para diseños que priorizan una menor pérdida.
La producción en serie comenzó de forma escalonada en junio de 2026. Las ventas en línea también han comenzado con los productos del encapsulado TOLL (números de referencia aplicables: R6020XNJ2, R6038XNJ2, R6049XNJ2, R6055XNJ2, R6024WNJ2, R6035WNJ2), que se pueden adquirir a través de distribuidores en línea como DigiKey.
ROHM seguirá ampliando su gama de MOSFET de superconexión y tiene previsto iniciar la producción en serie de productos de 650 V, así como de productos de próxima generación.
Gama de productos
