Nuevo MOSFET U-MOS X-H de 150 V y alto rendimiento de Toshiba
La recuperación inversa mejorada reduce significativamente las pérdidas por rectificación síncrona
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha lanzado un nuevo MOSFET de potencia de canal N de 150 V basado en su proceso U-MOS X-H Trench de última generación. El nuevo dispositivo (TPH9R00CQ5) está diseñado específicamente para su uso en fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, como las utilizadas en estaciones base de comunicaciones, así como en otras aplicaciones industriales.
Con un valor VDSS máximo de 150V y un flujo de corriente (ID) de 64A, el nuevo dispositivo presenta una resistencia active de drenaje-fuente (RDS(ON)) de solo 9.0mΩ (max). Esto supone una reducción de más del 40% frente a la generación anterior del producto TPH1500CNH1.
En las soluciones de alimentación de alto rendimiento que utilizan rectificación síncrona, el rendimiento de recuperación inversa es muy importante. Gracias a la incorporación de un diodo de cuerpo de alta velocidad, el nuevo TPH9R00CQ5 reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) en torno a un 74% (a 34nC típ.) en comparación con un dispositivo existente como el TPH9R00CQH. Además, el tiempo de recuperación inversa (trr) de sólo 40ns supone una mejora de más del 40% en comparación con los dispositivos anteriores.
Junto con una baja carga de puerta (Qg) de solo 44nC, de sólo 44nC, estas mejoras contribuyen significativamente a reducir las pérdidas y aumentar la densidad de potencia en soluciones de alto rendimiento y potencia eficiente. Una temperatura de canal de 175ºC (máx.) es extraordinaria para los MOSFET con diodo de alta velocidad y ofrecerá al diseñador un mayor margen térmico.
El nuevo dispositivo también reduce los picos de tensión creados durante la conmutación, mejorando así las características EMI de los diseños y reduciendo la necesidad de filtros. Está alojado en un versátil encapsulado SOP Advance(N) de montaje superficial que mide sólo 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Para ayudar a los diseñadores, Toshiba ha desarrollado un modelo SPICE G0 para verificar rápidamente el funcionamiento del circuito, así como modelos SPICE G2 de gran precisión para reproducir con exactitud las características transitorias.
Además, los diseñadores disponen de diseños de referencia avanzados, ya disponibles en el sitio web de Toshiba. Entre ellos se incluye un convertidor CC-CC buck-boost no aislado de 1 kW, un inversor trifásico multinivel basado en MOSFET y un convertidor CC-CC full bridge de 1 kW, todos los cuales utilizan el nuevo TPH9R00CQ5.
Los pedidos del nuevo dispositivo comienzan hoy, y Toshiba seguirá ampliando su gama de MOSFET de potencia que reducen las pérdidas de energía y aumentan la eficiencia de las fuentes de alimentación conmutadas, ayudando a mejorar la eficiencia de los equipos..
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