Estos dispositivos ofrecen una baja RDS (on), lo que permite ahorrar energía en los sistemas de 48 V, y su encapsulado con flancos humectables facilita la inspección óptica automática (AOI), lo que mejora la fiabilidad de la producción
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») presenta dos MOSFET de canal N de 80 V que cumplen con la norma AEC-Q101, ampliando así su gama para dar soporte a los sistemas de automoción de 48 V. Los modelos XPH2R608QB y XPH3R908QB son los primeros productos del proceso U-MOSX-H de última generación que se alojan en el encapsulado SOP Advance (WF) con flancos humectables.
Gracias al proceso U-MOSX-H de Toshiba, los productos alcanzan una baja resistencia en estado activo (RDS(ON)), lo que permite a los diseñadores maximizar la eficiencia en sus sistemas de 48 V, mejorando así el rendimiento y prolongando la vida útil de la batería del vehículo. La RDS(ON) del XPH2R608QB es de 2,55 mΩ (máx.) con una carga total de la puerta (Qg) de 95 nC (típ.), y de 3,9 mΩ (máx.) y 63 nC (típ.) para el XPH3R908QB; ambos con una tensión de puerta a fuente (VGS) de 10 V (máx.).
Además, el encapsulado SOP WF con estructura de conector de cobre reduce la resistencia del encapsulado del MOSFET, mejorando la eficiencia, potenciando la disipación del calor y aumentando la fiabilidad del sistema. El diseño de flanco humectable del encapsulado mejora la visibilidad de los filetes de soldadura, lo que facilita la verificación de las condiciones de montaje en placa mediante equipos de inspección óptica automatizada (AOI), mejorando la fiabilidad general del sistema.
Los modelos XPH2R608QB y XPH3R908QB son adecuados para su uso en circuitos de accionamiento de motores de corriente continua sin escobillas (BLDC) de tipo canal N y en convertidores reductores CC-CC no aislados. Además de los sistemas de automoción de 28 V, otras aplicaciones incluyen accionamientos de motores, fuentes de alimentación conmutadas e interruptores de carga. La gama de la serie U-MOSX-H de 80 V para automoción también incluye el XPQR8308QB, que cuenta con el encapsulado L-TOGL de alta disipación térmica. Toshiba seguirá desarrollando productos MOSFET para automoción adecuados para sistemas de 48 V con el fin de satisfacer las diversas necesidades de los clientes y dar soporte a diversas aplicaciones de automoción.
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