La demanda de memorias no volátiles se debe en gran medida al desarrollo continuo de dispositivos móviles, en los que se utiliza la memoria con capacidad creciente. Se trata principalmente de cámaras, teléfonos inteligentes, tabletas y cámaras. Las crecientes demandas del mercado han forzado el desarrollo continuo de la tecnología para producir memorias no volátiles. La esencia de la memoria no volátil es almacenar datos en ausencia de una fuente de alimentación. Sin embargo, la presencia de poder es necesaria para las operaciones de escritura y lectura de datos. Tanto la empresa Microchip, así como la empresa Atmel adquirida por ella, tiene una amplia experiencia en la producción de memorias no volátiles. Su proceso de producción se realiza en sus propias fábricas de silicio. Los procedimientos de prueba avanzados se utilizan para mantener el más alto nivel de calidad. La cartera del productor también incluye memorias con la calificación AEC-Q100, lo que significa que están aprobados para su uso en la industria automotriz. También vale la pena mencionar el EEmantenimiento de todos los chips de memoria introducidos en el mercado en producción.
Memorias EEPROM
Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) pertenecen al grupo de memorias no volátiles. Las soluciones de este tipo se utilizan con mayor frecuencia en aplicaciones que requieren la presencia de áreas ROM reprogramables, especialmente en relación con el almacenamiento de datos de configuración del sistema. Dada la interfaz, las EEPROM pueden ser en serie o en paralelo. Las memorias serial (serie 24xx con interfaz I2C, serie 25xx con interfaz SPI, serie 93xx con interfaz Microwire) se producen con mayor frecuencia en carcasas DIP y SOIC. Su capacidad suele ser de decenas de kB. Gracias a la interfaz en serie y al pequeño tamaño y la baja demanda de energía, tales memorias se utilizan a menudo para almacenar datos sobre el número de serie del dispositivo o la configuración y los datos de producción. También hay memorias en serie con una dirección única preprogramada de 48 o 64 bits. que se puede utilizar como la dirección MAC del dispositivo. Las memorias en paralelo son series 28xx.
Tenga en cuenta el hecho de que, en términos de funcionalidad de lectura y derivaciones, es compatible con la serie EPROM 27xxx. El espectro de aplicación de la memoria EEPROM incluye principalmente su presencia en la electrónica industrial: dispositivos de medición y sistemas de control, sistemas de protección y alarma, sensores y cargadores de baterías. También puedes encontrarlos en dispositivos IoT. La memoria EEPROM también se utiliza en dispositivos médicos y en el segmento automotriz. La memoria EEPROM tampoco carece de electrónica de consumo, es decir, hardware de computadora, electrónica de consumo y electrodomésticos. El soporte de Microchip en la producción de chips de memorias EEPROM fabricadas con la tecnología más antigua – 1.2μm – 0.7-0.5- 4.4-0.25 – 0.18-0 13um – juega un papel importante para garantizar la continuidad de la producción de equipos. La dirección del desarrollo de las memorias EEPROM incluye principalmente la reducción de la demanda de energía y la introducción del servicio de nuevas interfaces. Vale la pena tener en cuenta aquí el bus asíncrono UNI/O desarrollado por Microchip en 2008 (serie 11xx). Se basa en una línea de datos SCIO bidireccional (del inglés: Single Connection I/O), que proporciona un total de 3 salidas que permiten el uso de gabinetes SOT23 y TO92. La última solución es la memoria con la interfaz Single-Wire (serie 21CS), en la que el sistema se alimenta a través de una línea de datos bidireccional, lo que reduce el número de pines del sistema a dos (SI/O + GND).
Memorias FLASH
Las memorias FLASH no volátiles en relación con la memoria EEPROM se caracterizan por tiempos de escritura y lectura más cortos, lo que, sin embargo, está asociado con la falta de capacidad para escribir y leer bytes individuales. Aquí, la lectura y la escritura se llevan a cabo en áreas más grandes de la memoria, las llamadas páginas (128/256 bytes). La memoria Flash ofrecida por Microchip tiene una interfaz paralela (serie SST39) o una interfaz serial (SPI en la serie SST25, SQI en la serie SST26). Los parámetros importantes de la memoria Flash son: capacidad de memoria (4 Mbit), frecuencia de operación (por ejemplo, 40 MHz), voltaje de operación (p. ej., 2.3 – 3.6V), tipo de carcasa (por ejemplo, TDFN8), método de ensamblaje (por ejemplo, SMD ) y temperatura de trabajo (p.ej., -40-85°C). Vale la pena mencionar la tecnología SuperFlash utilizada en los sistemas que garantiza un consumo de energía reducido con una eliminación muy breve de los datos. A su vez, la interfaz SQI garantiza una transmisión de datos rápida utilizando el número mínimo de pines.
Memorias EERAM
EERAM es una conexión rápida de la memoria SRAM (Static Random-Access Memory) y de la memoria no volátil EEPROM, almacenando una copia de memoria SRAM (I2C, serie 47x). Una conexión de este tipo significa que, en caso de problemas de alimentación, el contenido de la memoria caché se puede restaurar desde una copia de seguridad. Por lo tanto, la memoria EERAM se basa en un condensador externo, que es una fuente de respaldo de energía durante el tiempo necesario para copiar el contenido de la memoria. Vale la pena mencionar la similitud de los sistemas NVSRAM (Non-volatile Static Random-Access Memory – seria 23XX), que también tienen la función de mantener el contenido de RAM. La diferencia es que para que funcionen correctamente se requiere la presencia de una fuente de alimentación adicional: una batería o batería, innecesaria en el caso de la memoria EERAM, lo que tiene un impacto en los costos de producción del dispositivo. Es importante destacar que el número de operaciones para guardar y leer datos es ilimitado.
Dependiendo de las necesidades de la aplicación, se selecciona la memoria EERAM con una capacidad de 4kb o 16kb. Durante el trabajo, la lógica interna es responsable de monitorear el estado de la alimentación en tiempo real. Como resultado, cualquier corte de energía y disminución se detectan teniendo en cuenta el umbral adoptado (Vtrip). Si se detecta alguno de estos estados, se inicia la copia del contenido de la SRAM a la EEPROM. El condensador externo conectado al circuito Vcap del sistema es importante aquí. Con la tensión de alimentación nuevamente por encima del nivel Vtrip, el contenido de EEPROM se copia a la SRAM. Se debe enfatizar que el contenido de SRAM se puede restaurar en cualquier momento mediante la activación del programa. En resumen, las memorias EERAM se adaptan perfectamente al uso en aplicaciones donde se requiere una actualización frecuente y rápida del contenido de las celdas de la memoria, al tiempo que se garantiza que los datos almacenados allí se guardarán en caso de pérdida de energía. Por lo tanto, pueden encontrarse idealmente en electrónica de medición (energía, gas, líquido), electrónica industrial y de consumo (terminales de pago POS, quioscos de información, impresoras) y soluciones automotrices (registradores de datos, sensores).
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