ROHM ha anunciado el lanzamiento de nuevos modelos SPICE de Nivel 3 (L3) que ofrecen una convergencia significativamente mejorada y un rendimiento de simulación más rápido.
Puesto que las pérdidas de los semiconductores de potencia tienen un importante impacto en la eficiencia global del sistema, la precisión de la simulación durante la fase de diseño es fundamental. Los anteriores modelos SPICE de Nivel 1 (L1) de ROHM para MOSFET de SiC respondían a esta necesidad reproduciendo con precisión las características clave del dispositivo. Sin embargo, problemas como la convergencia de la simulación y los prolongados tiempos de cálculo revelaron la necesidad de perfeccionarlos.
Los nuevos modelos L3 utilizan un enfoque simplificado que mantiene tanto la estabilidad computacional como la precisión de las formas de onda de conmutación, al tiempo que reduce el tiempo de simulación en aproximadamente un 50 % en comparación con los modelos L1. Esto permite realizar análisis transitorios de alta precisión de los circuitos completos a una velocidad significativamente mayor, agilizando la evaluación de dispositivos y la valoración de pérdidas en la fase de diseño de aplicaciones.
Desde abril de 2025, ROHM ha lanzado 37 modelos L3 para sus MOSFET de SiC de 4.ª generación, que ya pueden descargarse directamente desde la sección Models & Tools (Modelos y Herramientas) de la página de cada producto. Los modelos L1 seguirán ofreciéndose junto con las nuevas versiones. También se proporciona un exhaustivo libro blanco que facilita la implementación del modelo.
Información relacionada
• Libros blancos
• Página de soporte de modelos de diseño
• Documentación técnica de MOSFET de SiC
De cara al futuro, ROHM sigue comprometida con el avance de la tecnología de simulación para permitir el diseño de aplicaciones de mayor rendimiento y eficiencia, impulsando la innovación continua en los sistemas de conversión de energía.
