El nuevo encapsulado DFN2020B(WF) mejora la fiabilidad, la miniaturización y la inspección óptica automática (AOI) para aplicaciones de automoción de próxima generación
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de cinco nuevos componentes MOSFET para automoción, diseñados para ofrecer una combinación de ventajas de ahorro de espacio y fácil montaje. Estos MOSFET de canal N (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, y XSM6K336NW) y de canal P (XSM6J372NW) se alojan en el encapsulado DFN2020B(WF), que cuenta con una estructura de flancos humectables (wettable flanks).
El encapsulado DFN2020B(WF) representa un avance significativo en la electrónica de automoción, ya que ofrece múltiples ventajas. La estructura de flancos humectables mejora la humectabilidad de la soldadura en comparación con el encapsulado UDFN6B existente de Toshiba. Fundamentalmente, también mejora la visibilidad del «filete» o «cordón» de soldadura, lo que permite confirmar la calidad de la unión soldada mediante equipos de inspección óptica automatizada (AOI-Automated Optical Inspection). Además, en las pruebas de resistencia al cizallamiento de las uniones soldadas, el nuevo encapsulado demuestra una resistencia aproximadamente un 23 % mayor en comparación con el encapsulado SOT-23F existente de Toshiba, lo que contribuye a una mayor fiabilidad.
Con un tamaño típico de 2,0 mm x 2,0 mm x 0,6 mm, el encapsulado DFN2020B(WF) reduce el área de montaje en aproximadamente un 43 % y la altura del encapsulado en aproximadamente un 25 % en comparación con el encapsulado SOT-23F (2,4 mm x 2,9 mm x 0,8 mm típ.). Esta reducción de tamaño es crucial para la miniaturización de los equipos de automoción modernos.
A pesar de su tamaño compacto, el nuevo encapsulado ofrece una alta capacidad de disipación de potencia. Por ejemplo, el XSM6K361NW cuenta con una potencia de disipación máxima de 1,84 W, lo que supone aproximadamente 1,5 veces más que los 1,2 W del producto SSM3K361R existente de Toshiba con encapsulado SOT-23F. Esta alta capacidad de disipación de potencia respalda el desarrollo de equipos de automoción compactos que requieren MOSFET de alta potencia, como convertidores CC-CC para ECU e interruptores de carga para faros LED.
Estos nuevos productos cumplen con la norma AEC-Q101, la especificación de pruebas de fiabilidad estándar de la industria automovilística. Además, está disponible el Proceso de Aprobación de Piezas de Producción (PPAP-Production Part Approval Process) de la norma IATF16949, el estándar internacional para sistemas de gestión de la calidad específico de la industria de automoción.
Toshiba se compromete a ampliar su gama de componentes MOSFET con el encapsulado DFN2020B(WF), así como a introducir en el futuro productos MOSFET 2 en 1 con el encapsulado DFN2020(WF) para aplicaciones de automoción.
Para obtener información detallada sobre los nuevos MOSFET para automoción en el encapsulado DFN2020B(WF), visite el sitio web de Toshiba:
XSM6K361NW
XSM6K519NW
XSM6K376NW
XSM6K336NW
XSM6J372NW
