Los nuevos MOSFET de potencia de canal N aprovechan las avanzadas capacidades de disipación de calor para soportar mayores corrientes de automoción
Los dispositivos de 40 V ofrecen elevadas capacidades de corriente y menores cifras de resistencia a la conexión en encapsulados L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor alas de gaviota, conocido como L-TOGLTM.
Gracias a sus encapsulados L-TOGL y a las características mejoradas de disipación del calor derivadas, los nuevos MOSFET de Toshiba están altamente optimizados para gestionar grandes corrientes. Cada uno de ellos presenta elevados valores nominales de corriente de drenaje (400 A para el XPQR3004PB y 200 A para el XPQ1R004PB), además de valores de resistencia de activación líderes en el sector (0,3 mΩ para el XPQR3004PB y 1 mΩ para el XPQ1R004PB).
En estos dispositivos no hay estructura de poste interna (conexión soldada). Esto se consigue conectando los cables fuente y exterior con un innovador clip de cobre. El uso de una estructura multipolo para los cables fuente reduce la resistencia del encapsulado (y las pérdidas asociadas) en aproximadamente un 70% en comparación con el encapsulado TO-220SM(W) existente. La corriente de drenaje (ID) nominal resultante del XPQR3004PB representa un aumento del 60% con respecto al actual TKR74F04PB, alojado en el encapsulado TO-220SM(W). Además, el robusto marco de cobre reduce sustancialmente la impedancia térmica entre la unión y la carcasa. Es de 0,2 °C/W para el XPQR3004PB y de 0,65 °C/W para el XPQ1R004PB. Esto facilita la disipación del calor, reduce las temperaturas de funcionamiento y mejora la fiabilidad.
Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB, diseñados para su uso en aplicaciones exigentes de automoción a temperaturas de hasta 175 °C, cuentan con la certificación AEC-Q101. Sus conductores en ala de gaviota reducen la tensión de montaje y facilitan la inspección visual, contribuyendo así a mejorar la fiabilidad de la unión soldada.
Cuando se utilizan en aplicaciones de automoción de alta corriente, como relés semiconductores o generadores de arranque integrados (ISG), los XPQR3004PB y XPQ1R004PB permiten simplificar los diseños y reducir el número de MOSFET necesarios. Esto permite reducir el tamaño, el peso y los costes.
Ya han comenzado los pedidos en serie de estos dispositivos.
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