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Los módulos SiC MOSFET de Toshiba permiten reducir el tamaño de las implementaciones industriales

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Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha aprovechado su experiencia tecnológica en procesos de semiconductores de banda ancha (WBC) para introducir un módulo MOSFET compacto pero eficaz. El nuevo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de doble canal con clasificación de 3300V que son capaces de soportar corrientes de 800A. Las aplicaciones clave para estos módulos de alta densidad de potencia incluyen variadores industriales y equipos de control de motores, los inversores de potencia para sitios de generación de energía renovable, además de los convertidores / inversores necesarios para la infraestructura ferroviaria eléctrica.

Un elemento fundamental para los sólidos parámetros de rendimiento de los nuevos módulos SiC MOSFET de Toshiba es la tecnología de embalaje patentada de la empresa. Las carcasas inteligentes de paquete flexible de bajo voltaje (iXPLV) empleadas en estos módulos se basan en una tecnología avanzada de unión interna sinterizada de plata para permitir grados elevados de eficiencia operativa. Se pueden soportar temperaturas de canal que alcanzan los 175 ° C, mientras que se garantiza un aislamiento de hasta 6000VRMS. Las pérdidas de conmutación de encendido y apagado se mantienen en 250 mJ y 240 mJ, respectivamente, y normalmente se esperan cifras de inductancia parásita de solo 12 nH.

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