Los nuevos MOSFET ultra compactos de calidad automoción de ROHM proporcionan una fiabilidad de montaje superior

La nueva serie RV4xxx permite una mayor miniaturización en dispositivos para automoción tales como los módulos de cámara ADAS.
ROHM ha anunciado el desarrollo de MOSFETs ultra compactos de tamaño 1,6×1,6 mm que ofrecen una fiabilidad de montaje superior. La serie RV4xxx tiene la calificación AEC-Q101, lo que garantiza una fiabilidad y un rendimiento de calidad automoción en condiciones extremas. La tecnología original de procesamiento de encapsulados de ROHM permite la miniaturización de componentes de automoción, como los módulos de cámara ADAS, que exigen alta calidad. En los últimos años, el cada vez mayor número de sistemas de seguridad y confort para vehículos, como las cámaras ADAS, ha puesto de relieve el desafío que supone disponer de un espacio limitado para alojar estos sistemas e incentivar la demanda de componentes más pequeños. Para satisfacer esta necesidad, los MOSFETs de tipo electrodo de fondo, que pueden ser miniaturizados mientras se mantiene una alta corriente, están atrayendo cada vez más la atención.
Sin embargo, para aplicaciones en automoción, la inspección óptica se realiza durante el proceso de montaje para garantizar la calidad, pero en el caso de los componentes del electrodo de fondo, la altura de la soldadura no puede verificarse después del montaje, lo que dificulta la confirmación de las condiciones de montaje. ROHM tiene un acreditado historial de desarrollo e introducción de nuevos productos adelantándose a las tendencias del mercado, y éste es precisamente el caso de los nuevos MOSFET ultra compactos. Esta vez, ROHM se ha convertido en el primero en la industria en asegurar la altura de electrodo en el lado del encapsulado (130 μm) requerida para aplicaciones en vehículos utilizando la tecnología original Wettable Flank. El resultado es una calidad de soldadura consistente —incluso para productos de tipo electrodo de fondo— lo que permite a las máquinas de inspección óptica automatizada (AOI, por su sigla en inglés) verificar fácilmente las condiciones de soldadura después del montaje. ROHM está comprometida en desarrollar productos compactos que aprovechen esta tecnología, incluyendo transistores y diodos bipolares, permitiéndonos ampliar nuestra extensa gama de productos y lograr una mayor miniaturización a la vez que proporcionamos una mayor fiabilidad.
Características clave

1. La tecnología patentada Wettable Flank garantiza una altura de electrodo en el lado del paquete de 130 μm

La tecnología Wettable Flank de ROHM consiste en hacer un corte dentro del marco de plomo en el lado del encapsulado antes del metalizado. No obstante, la aparición de rebabas como resultado del corte en el marco de plomo puede producirse con más frecuencia a medida que aumenta la altura del corte. En respuesta a ello, ROHM ha desarrollado un método único que introduce una capa de barrera en toda la superficie del marco de plomo para minimizar la aparición de rebabas. Esto no sólo previene el aumento de componentes y los defectos de soldadura durante el montaje, sino que es el primero en el mercado en asegurar una altura de electrodo de 130 μm en el lado de los encapsulado DFN1616 (1,6×1,6 mm).

2. Los MOSFET de electrodo de fondo compactos reducen el área de montaje

Hasta hace poco, los diodos de barrera Schottky (SBD, por su sigla en inglés) se utilizaban habitualmente en los circuitos de protección de conexión inversa de los módulos de cámara ADAS. Pero debido a que las cámaras de alta resolución requieren mayores corrientes en los sistemas avanzados de los vehículos, los SBD están siendo sustituidos cada vez más por MOSFETs compactos que proporcionan una baja resistencia en conducción y una menor generación de calor. Por ejemplo, con un consumo de corriente y potencia de 2,0 A y 0,6 W, respectivamente, los MOSFETs para automoción convencionales pueden reducir el área de montaje en un 30% con respecto a los SBD. Sin embargo, la adopción de MOSFETs de electrodos de fondo capaces de proporcionar una excelente disipación de calor, al mismo tiempo que soportan grandes corrientes en un factor de forma incluso más pequeño, permite reducir el área de montaje hasta en un 78% en comparación con los SBD convencionales y en un 68% en comparación con los MOSFET convencionales.
Disponibilidad: inmediata (muestras), septiembre de 2019 (cantidades OEM).