El encapsulado de nueva generación para MOSFET de potencia logra reducciones significativas en la resistencia de encendido y la resistencia térmica
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de potencia de canal N: el TPM1R908QM de 80 V y el TPM7R10CQ5 de 150 V. Estas últimas ofertas adoptan el innovador encapsulado SOP Advance(E) de Toshiba, diseñado para mejorar significativamente el rendimiento de las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales exigentes, como centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
El nuevo encapsulado SOP Advance(E) supone una mejora sustancial respecto al encapsulado SOP Advance(N) existente de Toshiba, ya que reduce la resistencia del encapsulado en aproximadamente un 65 % y la resistencia térmica en aproximadamente un 15 %. Estas mejoras se traducen directamente en un rendimiento superior del dispositivo. El TPM1R908QM de 80 V presenta una reducción de la resistencia de conexión drenador-fuente (RDS(ON)) de aproximadamente el 21 % y de la resistencia térmica de la carcasa del canal (Rth(ch-c)) de aproximadamente el 15 % en comparación con el producto existente de Toshiba, el TPH2R408QM, de la misma tensión nominal. De igual manera, el TPM7R10CQ5 de 150 V alcanza una RDS(ON) aproximadamente un 21 % menor y una Rth(ch-c) aproximadamente un 15 % menor que el TPH9R00CQ5 de Toshiba, también a la misma tensión. El TPM7R10CQ5 está equipado con un diodo de cuerpo de alta velocidad para una mayor eficiencia en la rectificación síncrona.
La reducción de la resistencia de conexión y la supresión del aumento de temperatura gracias a la mejora de la resistencia térmica contribuyen a una menor resistencia de conexión general, incluso considerando características de temperatura positivas. Esta combinación logra, en última instancia, menores pérdidas y mayor eficiencia en aplicaciones críticas como las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales, incluyendo las que alimentan centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
El TPM1R908QM presenta una tensión drenador-fuente (VDSS) de 80 V, una corriente drenadora (ID) de 238 A (Tc = 25 °C) y una RDS(ON) máxima de 1,9 mΩ (VGS = 10 V). El TPM7R10CQ5 ofrece una VDSS de 150 V, una ID de 120 A (Tc = 25 °C) y una RDS(ON) máxima de 7,1 mΩ (VGS = 10 V). Ambos productos tienen una temperatura de canal (Tch) de 175 °C y una Rth(ch-c) máxima de 0,6 °C/W (Tc = 25 °C). El encapsulado SOP Advance(E) mide típicamente 4,9 mm × 6,1 mm. Para facilitar aún más el diseño de circuitos para fuentes de alimentación conmutadas, Toshiba también ofrece un modelo G0 SPICE para la verificación rápida del funcionamiento del circuito, junto con modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen con precisión las características transitorias.
Toshiba se compromete a ampliar su cartera de MOSFET de potencia para facilitar fuentes de alimentación más eficientes, contribuyendo así a la reducción del consumo energético general de los equipos.
Para obtener más información sobre los modelos TPM1R908QM y TPM7R10CQ5, siga los enlaces.
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