Etiqueta: mosfet
MOSFET de potencia de superunión DTMOSVI de 600 V y 0,047 Ω en encapsulado...
El diseño optimizado de la puerta y el encapsulado compacto ayudarán a los ingenieros a reducir el tamaño de los equipos finales y a...
Seis nuevos MOSFET de potencia de canal N de la serie DTMOSVI 600 V...
El innovador diseño del encapsulado y la estructura optimizada de la puerta proporcionan importantes mejoras de rendimiento para aplicaciones de potencia críticas
Toshiba Electronics Europe...
El encapsulado de nueva generación para MOSFET de potencia logra reducciones significativas en la...
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de potencia de canal N: el TPM1R908QM de 80 V y el...
Nexperia lanza MOSFET de carburo de silicio de 1200 V con certificación para automoción...
Los dispositivos SMD con certificación AEC-Q101 combinan una estabilidad térmica sin igual y un fácil montaje
Nexperia ha anunciado hoy una gama de MOSFET de...
El fotocoplador con controlador de puerta altamente integrado de Toshiba mejora la seguridad al...
El circuito activo de fijación Miller integrado simplifica el diseño, ahorra espacio y reduce el coste del Sistema
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba »)...
Nexperia lanza los MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de 1200 V líderes en...
El nuevo encapsulado X.PAK combina un alto rendimiento térmico, un tamaño compacto y un fácil montaje para aplicaciones de alta potencia
Nexperia presenta una gama...
Un relé de alta temperatura permite diseñar placas con una mayor densidad
Omron Electronic Components Europe ha presentado el relé MOSFET G3VM S-VSON(L), diseñado para su uso en equipos de test de semiconductores, equipos de comunicaciones,...
Cómo seleccionar la mejor tecnología MOSFET para cada proyecto
En el mundo de la electrónica de potencia, los MOSFETs (transistores de efecto de campo metalóxido-semiconductor) se han consolidado como elementos clave en el...
El nuevo MOSFET de 600 V y 24 mΩ de Toshiba mejora la eficiencia...
TK024N60Z1 ofrece la resistencia en estado encendido más baja de la serie DTMOSVI de 600 V
Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanzado un MOSFET de...
El nuevo MOSFET de 600 V y 24 mΩ de Toshiba mejora la eficiencia...
El TK024N60Z1 ofrece la resistencia de encendido más baja de la serie DTMOSVI de 600 V
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanzado un MOSFET...