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Eine Demokarte mit einer elektronischen Sicherung aus Siliziumkarbid bietet eine schnellere und zuverlässigere Methode zum Schutz der Leistungselektronik in Elektrofahrzeuganwendungen

Mikrochip-Demokarte

Das E-Fuse-Demoboard von Microchip wird in sechs Versionen für 400–800-V-Batteriesysteme geliefert

Elektrische Hochspannungs-Subsysteme für Elektro- und Hybridfahrzeuge erfordern einen Mechanismus, der die Hochspannungsverteilung und die Lasten im Falle einer Überlastung schützt. Mit dem Ziel, Konstrukteuren dieser Fahrzeugtypen eine schnellere und zuverlässigere Lösung für den Schutz von Hochspannungsschaltkreisen zu bieten, kündigt Microchip Technology heute die an Demokarte E-Fuse (elektronische Sicherung) auf Siliziumkarbidbasis (SiC) und in sechs Versionen für 400–800-V-Batteriesysteme und Ströme bis 30 A erhältlich.

Dieses Demoboard kann Fehlerströme in Mikrosekunden erkennen und unterbrechen und ist damit aufgrund seines Hochspannungs-Solid-State-Designs 100–500 Mal schneller als herkömmliche mechanische Lösungen. Durch die schnelle Reaktionszeit werden Kurzschlussstromspitzen von mehreren zehn Kiloampere auf Hunderte von Ampere drastisch reduziert und so schwere Schäden verhindert.

„Das E-Fuse-Demoboard richtet sich an Entwickler von Elektro- und Hybridfahrzeugen und bietet ihnen eine SiC-basierte Lösung, um ihren Entwicklungsprozess mit einer schnelleren und zuverlässigeren Methode zum Schutz der Leistungselektronik anzukurbeln“, erklärte er. Clayton Pillion , Vizepräsident der Siliziumkarbid-Geschäftseinheit von Microchip. „Das Halbleiterdesign der elektronischen Sicherung beseitigt Bedenken hinsichtlich der Langzeitzuverlässigkeit elektromechanischer Geräte, da diese nicht unter einer Verschlechterung durch mechanische Stöße, Lichtbögen oder Kontaktprellen leiden.“

Dank der Reset-Funktion der E-Fuse-Demokarte können Entwickler problemlos eine elektronische Sicherung in das Fahrzeug integrieren, ohne die Einschränkungen, die ein wartungsfreundliches Design mit sich bringt. Dies verringert die Designkomplexität und erhöht den Grad der Flexibilität zur Verbesserung der Stromverteilung in Elektro- und Hybridfahrzeugen.

Hersteller können die Entwicklung von SiC-basierten Backend-Anwendungen mit dem E-Fuse-Demoboard beschleunigen, indem sie eine LIN-Kommunikationsschnittstelle (Local Interconnect Network) integrieren. Die LIN-Schnittstelle ermöglicht die Konfiguration von Überstrom-Reaktionseigenschaften, ohne dass Hardwarekomponenten geändert werden müssen, und stellt außerdem Diagnoseberichte bereit.

Das E-Fuse-Demoboard nutzt die unübertroffene Robustheit und Leistung der SiC-MOSFET- und Core Independent Peripherals (CIP)-Technologie von Microchip in seinen PIC-Mikrocontrollern.® mit einer LIN-basierten Schnittstelle. Die für den Automotive-Einsatz zugelassenen Zusatzkomponenten zeichnen sich durch eine geringe Geräteanzahl und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu einem dezenten Design aus.

Die SiC-Stromversorgungslösungen von Microchip bieten das breiteste und flexibelste Portfolio an unverpackten, diskreten MOSFETs, Dioden und Gate-Treibern, Modulen und kundenspezifischen Strommodulen. Weitere Informationen zu den SiC-Halbleitern von Microchip finden Sie auf unserer Netz.