Erhöhte Effizienz und Miniaturisierung in einer Vielzahl von Stromversorgungssystemen, einschließlich Servern und AC-Adaptern
ROHM hat mit der Massenproduktion der 650-V-GaN-HEMTs (Galliumnitrid) GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z begonnen, die für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen optimiert sind. Diese neuen Produkte wurden gemeinsam mit Ancora Semiconductors, Inc, einer Tochtergesellschaft von Delta Electronics, Inc, einem führenden Unternehmen in der Entwicklung von GaN-Bauelementen, entwickelt.
Die Verbesserung der Effizienz von Stromversorgungen und Motoren, die den größten Teil des weltweiten Stromverbrauchs ausmachen, ist zu einer Herausforderung auf dem Weg zu einer dekarbonisierten Gesellschaft geworden. Die Einführung neuer Materialien wie GaN und SiC ist der Schlüssel zur Verbesserung der Effizienz von Stromversorgungen.
Nachdem ROHM im Jahr 150 mit der Massenproduktion von 8-V-GaN-HEMTs mit einer Gate-Durchbruchspannung von 2022 V begonnen hatte, entwickelte ROHM im März 2023 die Steuerungs-IC-Technologie, um die Leistung von GaN zu maximieren. Dieses Mal hat ROHM 650-V-GaN-HEMTs mit marktführender Leistung entwickelt, die zu höherer Effizienz und geringerem Platzbedarf in einem breiteren Spektrum von Stromversorgungssystemen beitragen.
Der GNP1070TC-Z und der GNP1150TCA-Z bieten branchenführende Leistung in Bezug auf RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, ein Leistungsfaktor für GaN-HEMTs, der zu einer höheren Effizienz in elektrischen Stromversorgungssystemen führt. Gleichzeitig verbessert ein integriertes ESD-Schutzelement die Bruchsicherheit elektrostatische potentielle Energie bis zu 3,5 kV und erhöht so die Zuverlässigkeit der Anwendungen. Die Hochgeschwindigkeitsschalteigenschaften von GaN-HEMTs tragen auch zur weiteren Miniaturisierung peripherer Komponenten bei.
ROHM verbessert die Geräteleistung durch seine EcoGaN™-Reihe von GaN-Geräten weiter, was zu weiteren Energieeinsparungen in Anwendungen und einer weiteren Miniaturisierung beiträgt. Gleichzeitig mit der Entwicklung von ROHM-Produkten fördern wir auch die gemeinsame Entwicklung durch strategische Partnerschaften, um zur Lösung gesellschaftlicher Probleme beizutragen, indem wir Anwendungen effizienter und kompakter machen.
EcoGaN™
Es handelt sich um die neue Reihe von GaN-Geräten von ROHM, die zu Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen, indem sie die Eigenschaften von GaN maximieren, mit dem Ziel, einen geringeren Stromverbrauch von Anwendungen, kleinere Peripheriekomponenten und einfachere Designs zu erreichen, die weniger Teile erfordern.
Produktauswahl
Anwendungsbeispiele
Ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungssystemen in Industrieanlagen und Verbrauchergeräten, einschließlich Servern und AC-Adaptern.
Ancora Semiconductors Inc.
Es ist eine Tochtergesellschaft von Delta Electronics, einem globalen Anbieter von Energie- und Wärmemanagementlösungen. Ancora wurde im Juli 2022 gegründet und konzentriert sich auf die Entwicklung von GaN-Geräten und -Technologie.
Weitere Informationen zu Ancora finden Sie unter: https://www.ancora-semi.com/EN
GaN-HEMT-Terminologie
GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das in Leistungsgeräten der neuen Generation verwendet wird. Aufgrund seiner überlegenen Eigenschaften gegenüber Silizium, wie sich in seinen hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften zeigt, nimmt seine Verbreitung zu.
HEMT ist ein Akronym für High Electron Mobility Transistor.
RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Dabei handelt es sich um einen Index zur Bewertung der Schaltleistung, wobei sich Ciss auf die Gesamtkapazität der Eingangsseite und Coss der Ausgangsseite bezieht.
Je niedriger dieser Wert ist, desto höher ist die Schaltgeschwindigkeit und desto geringer sind die Verluste beim Schalten.
ESD (elektrostatische Entladung)
Überspannung, die entsteht, wenn geladene Gegenstände, wie zum Beispiel der menschliche Körper und elektronische Geräte, in Kontakt kommen. Diese Art von Überspannung kann zu Funktionsstörungen oder zur Zerstörung von Schaltkreisen und Geräten führen.
