Toshiba lanza un módulo MOSFET de SiC de 3300 V para equipos industriales
Su elevada capacidad de corriente de pico contribuye a mejorar la fiabilidad del sistema
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha anunciado hoy la ampliación de su gama de productos con el lanzamiento del IX800FXF2YMS4, un módulo MOSFET de SiC doble. El nuevo módulo ofrece una elevada capacidad de corriente de sobretensión para garantizar un funcionamiento fiable en equipos industriales, incluidos inversores y convertidores para transporte ferroviario y sistemas de conversión de potencia, como transformadores de estado sólido, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía, así como equipos de control de motores industriales. Además, contribuye a mejorar la eficiencia del sistema gracias a la reducción de las pérdidas por conducción y conmutación.
El IX800FXF2YMS4 utiliza los dispositivos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de tercera generación mejorados de Toshiba. El módulo tiene una tensión drenado-fuente (VDSS) nominal de 3300 V y una corriente de drenado (DC) nominal (ID) de 800 A.
El nuevo IX800FXF2YMS4 tiene un valor nominal de I2t de 300 kA2s para su diodo a una temperatura inicial del canal de 17, VGS=-6 V, un pulso único de media onda sinusoidal de 10 ms y F.R. = 1 %. Esto indica la capacidad de corriente de sobretensión del diodo en condiciones de funcionamiento anómalas. Un diseño optimizado del MOSFET de SiC permite este rendimiento, lo que contribuye a mejorar la fiabilidad de los equipos.
Además, las bajas pérdidas por conducción y conmutación del módulo contribuyen a mejorar la eficiencia de los equipos y pueden ayudar a reducir los requisitos de refrigeración. La tensión típica de drenado-fuente en estado activo (detección) (VDS(on)sense) es 1,4 V a ID=800 A, VGS=+20 V y Tch=25 °C. Las pérdidas de conmutación típicas de encendido y apagado (Eon y Eoff) son 185 mJ y 175 mJ, respectivamente, a VDD=1800 V, ID=800 A y Tch=175 °C.
El nuevo producto se presenta en el encapsulado iXPLVTM (Intelligent Flexible Package Low Voltage) que utiliza una fijación del chip mediante sinterización de plata (Ag) para mejorar la resistencia térmica y la fiabilidad, y admite una temperatura nominal del canal de 175 °C. Su lanzamiento amplía la gama de módulos MOSFET de SiC de Toshiba en el encapsulado iXPLV a cuatro productos.
Toshiba seguirá ampliando su gama de módulos MOSFET de SiC para equipos industriales y ofrecerá una gama más amplia de opciones de productos para satisfacer las diversas especificaciones y aplicaciones de los equipos. Toshiba también contribuirá a mejorar la fiabilidad, aumentar la eficiencia y lograr equipos industriales más compactos.
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