Optimizado para la tecnología de prueba de semiconductores: Relés fotoeléctricos de alta velocidad de Toshiba en Rutronik
Toshiba Electronics Europe ofrece dos nuevos relés fotoeléctricos de alta velocidad que han sido desarrollados especialmente para su uso en la tecnología de prueba de semiconductores
Rutronik presenta los modelos TLP3414S y TLP3431S de Toshiba, nuevos relés fotoeléctricos de alta velocidad para pruebas de semiconductores. Los LED infrarrojos mejorados y las matrices de fotodiodos optimizadas en estos modelos permiten reducir los tiempos de encendido hasta en un 62 %, alcanzando solo 150 µs, sin comprometer la calidad de la señal. Esto incrementa significativamente la eficiencia en los sistemas de prueba. Además, el encapsulado S-VSON4T, un 20 % más pequeño, ahorra un valioso espacio en la placa de circuito. Estas características de rendimiento hacen que los relés sean la elección ideal para aplicaciones de electrónica de pines en equipos de prueba de semiconductores que requieren altas velocidades de conmutación y un control preciso de las señales. Los relés fotoeléctricos están disponibles en www.rutronik24.com.
El TLP3414S tiene una resistencia máxima de encendido de 3 Ω, mientras que el TLP3431S alcanza solo 1.2 Ω. La capacitancia de salida típica de ambas variantes es de 6.5 pF, un factor decisivo para reducir las pérdidas de señal en alta frecuencia cuando están apagados. Los valores de tensión y corriente en las fases de encendido y apagado son 40 V / 250 mA para el TLP3414S y 20 V / 450 mA para el TLP3431S.
Ambos relés fotoeléctricos están encapsulados en la carcasa compacta S-VSON4T, con dimensiones de solo 1.45 mm × 2.0 mm × 1.3 mm. Esto no solo permite la miniaturización de los sistemas de prueba modernos, sino que también mejora el rendimiento térmico y eléctrico gracias a las trayectorias de señal más cortas.
Ventajas:
Tiempos de conmutación más rápidos: hasta un 62 % más cortos en comparación con modelos anteriores (solo 150 μs)
Diseño compacto: nuevo encapsulado S-VSON4T que ahorra aproximadamente un 20 % de superficie de platino
Alta capacidad de conmutación: TLP3414S: 40 V / 250 mA y TLP3431S: 20 V / 450 mA
Baja resistencia en estado ON: TLP3414S: máx. 3 Ω y TLP3431S: máx. 1.2 Ω
Baja capacitancia de salida: típicamente 6.5 pF
Acoplamiento óptico optimizado: LED infrarrojos y matrices de fotodiodos mejorados para una alta eficiencia
Ejemplos de aplicación:
Electrónica de pines en equipos automáticos de prueba (ATE)
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