domingo , septiembre 22 2019
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Microchip anuncia la fabricación de productos de carburo de silicio (SiC) para electrónica de potencia fiable de alta tensión

Principales datos:

  • Los MOSFET de 700V y diodos de barrera Schottky de 700V y 1200V amplían las opciones para los clientes
  • Cubre la creciente demanda de eficiencia y densidad de potencia de la tecnología SiC
  • Conmutación eficiente a frecuencias más altas y fiabilidad a largo plazo
  • Ofrece una mejora del 20% frente a otros diodos de SiC en la prueba de robustez UIS

Microchip anuncia, a través de su filial Microsemi, la producción de una familia de dispositivos de potencia de SiC que ofrecen las ventajas de una robustez demostrada y las prestaciones de la tecnología de gran salto de banda. Los dispositivos de SiC, junto con la amplia gama de microcontroladores y soluciones analógicas de Microchip, se unen a la creciente familia de productos fiables de SiC. Estos productos cubren la necesidad para mejorar la eficiencia, robustez y densidad de potencia del sistema en vehículos eléctricos y otras aplicaciones de alta potencia dentro de los mercados industrial, aeroespacial y de defensa.

Los MOSFET de SiC de 700V y diodos de barrera Schottky de SiC de 700V y 1200V de Microchip se unen a su catálogo existente de módulos de potencia de SiC. Los más de 35 productos discretos que se han añadido al catálogo de Microchip se encuentran disponibles en volumen y cuentan con el soporte de una amplia variedad de servicios de desarrollo, herramientas y diseños de referencia, así como de una extraordinaria robustez demostrada mediante pruebas rigurosas.

La numerosa familia de pastillas de semiconductores, componentes discretos y módulos de potencia de SiC se suministran con diferentes valores de tensión, corriente y tipos de encapsulado. Los MOSFET y diodos de barrera Schottky de SiC de Microchip ofrecen una conmutación más eficiente a frecuencias más altas y superan las pruebas de robustez a niveles que se consideran críticos para garantizar la fiabilidad a largo plazo. Los diodos de barrera Schottky de SiC de la compañía mejoran en un 20% aproximadamente las prestaciones de los otros diodos de SiC en las pruebas de robustez UIS (Unclamped Inductive Switching), que miden cómo resisten los dispositivos la degradación o el fallo prematuro en caso de avalancha, que se produce cuando un pico de tensión supera la tensión de ruptura del dispositivo.

Los MOSFET de SiC de Microchip también sobrepasan a otras alternativas en estas pruebas de robustez al demostrar un excelente blindaje de óxido en la puerta y la integridad del canal con una pequeña degradación de los parámetros a lo largo de su vida útil, incluso después de 100.000 ciclos de pruebas UIS repetitivas. Microchip es uno de los pocos suministradores capaces de ofrecer una amplia gama soluciones discretas y módulos de silicio y SiC. Los productos de la compañía son ideales para el creciente número de sistemas instalados en los vehículos eléctricos, como estaciones de carga externas, cargadores a bordo, convertidores CC/CC y soluciones de control del sistema de propulsión/tracción.

Los nuevos dispositivos de SiC cuentan con el soporte de la política de obsolescencia basada en el cliente de Microchip, la cual garantiza que los dispositivos se seguirán fabricando mientras los clientes los necesiten. El catálogo ampliado de SiC cuenta con el soporte de diversos modelos SPICE para SiC, diseños de referencia de tarjetas de control SiC y un diseño de referencia Vienna para corrección del factor de potencia. Todos los productos de SiC de la compañía se suministran en volúmenes de producción junto con sus productos relacionados. Existen varias opciones disponibles para las pastillas de semiconductor y encapsulados de los MOSFET y diodos de SiC. Para más información visite www.microsemi.com/sic

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