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Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta...

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Mejoran aproximadamente 1,3 veces la distancia creepage en comparación con los productos estándar. ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC para montaje...
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Los dispositivos USB4 ESD de Nexperia ofrecen un equilibrio óptimo entre protección y rendimiento

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La protección basada en TrEOS ofrece una pérdida de inserción y retorno líder en la industria para ayudar a cumplir con los ajustados requisitos...

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Cambiar el mundo: la generación de energía puede ayudar a impulsar nuestro futuro

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