El nuevo encapsulado SOP Advance(E) permite reducir las pérdidas y aumentar la eficiencia en equipos industriales, centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de potencia de canal N, el TPM1R908QM de 80 V y el TPM7R10CQ5 de 150 V. Estas últimas novedades adoptan el innovador encapsulado SOP Advance(E) de Toshiba, diseñado para mejorar significativamente el rendimiento de las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales exigentes, incluidos centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
El nuevo encapsulado SOP Advance(E) supone una mejora sustancial con respecto al encapsulado SOP Advance(N) existente de Toshiba, ya que reduce la resistencia del encapsulado en aproximadamente un 65 % y la resistencia térmica en aproximadamente un 15 %. Estas mejoras del encapsulado se traducen directamente en un rendimiento superior del dispositivo. El TPM1R908QM de 80 V presenta una reducción de la resistencia de drenaje-fuente (RDS(ON)) de aproximadamente un 21 % y de la resistencia térmica del canal-caja (Rth(ch-c)) de aproximadamente un 15 % en comparación con el producto existente de Toshiba, el TPH2R408QM, de la misma tensión nominal. Del mismo modo, el TPM7R10CQ5 de 150 V alcanza un RDS(ON) aproximadamente un 21 % menor y un Rth(ch-c) aproximadamente un 15 % menor que el TPH9R00CQ5 existente de Toshiba, también con el mismo voltaje. El TPM7R10CQ5 está equipado con un diodo de cuerpo de alta velocidad para aumentar la eficiencia en la rectificación síncrona.
La reducción de la resistencia en estado activo y la supresión del aumento de temperatura gracias a la mejora de la resistencia térmica contribuyen a una menor resistencia en estado activo global, incluso teniendo en cuenta las características de temperatura positiva. Esta combinación permite, en última instancia, reducir las pérdidas y aumentar la eficiencia en aplicaciones críticas, como las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales, incluidas las que alimentan centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
El TPM1R908QM presenta un voltaje de drenaje-fuente (VDSS) de 80 V, una corriente de drenaje (ID) de 238 A (Tc=25 °C), y una RDS(ON) máxima de 1,9 mΩ (VGS=10 V). El TPM7R10CQ5 ofrece un VDSS de 150 V, y ID de 120 A (Tc=25 °C), y una RDS(ON) máxima de 7,1 mΩ (VGS=10 V). Ambos productos tienen una temperatura de canal (Tch) de 175 °C y un Rth(ch-c) de 0,6 °C/W (Tc=25 °C). El encapsulado SOP Advance(E) mide normalmente 4,9 mm × 6,1 mm.
Para facilitar aún más el diseño de circuitos para fuentes de alimentación conmutadas, Toshiba también ofrece un modelo G0 SPICE para la verificación rápida del funcionamiento de los circuitos, junto con modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen con exactitud las características transitorias.
Toshiba se compromete a ampliar su gama de MOSFET de potencia para facilitar fuentes de alimentación más eficientes, contribuyendo así a la reducción del consumo energético total de los equipos..
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