Mouser Electronics, Inc., dispone ya de los nuevos transistores de efecto de campo de nitruro de galio (FET de GaN) GaNEXUS™ de onsemi. Los FET de GaN GaNEXUS utilizan la banda ancha del GaN para suministrar características como una rápida conmutación y una carga reducida de salida y puerta, así como una eficiencia mejorada para aplicaciones de IA, centros de datos, robótica, automatización industrial e infraestructuras energéticas.
Con los FET de GaN GaNEXUS de onsemi, disponibles en Mouser, es posible alcanzar frecuencias de funcionamiento más altas y una mayor densidad de potencia; además, su uso contribuye a reducir la cantidad de componentes magnéticos en aplicaciones de conversión de potencia para rangos de tensión baja, media, alta y ultraalta. Los transistores discretos de GaN y alta movilidad de electrones (HEMT) con modo de enriquecimiento ofrecen un rango de tensión que va de 40 a 650 V; esto incluye los FET de GaN inteligentes GaNEXUS de 650 V con protección integrada para mejorar la fiabilidad y simplificar la integración en el sistema. Las soluciones GaNEXUS se han diseñado para mejorar la conversión y administración de la energía en los sistemas de potencia modernos, y son de gran ayuda a la hora de simplificar la complejidad de los diseños, acelerar la calificación y el desarrollo, reducir los requisitos térmicos y de refrigeración y optimizar el rendimiento en toda la cadena de suministro de potencia.
En los sistemas de baja y media tensión —como los servidores de IA, los convertidores de bus intermedio (IBC) de 48 V, las unidades de respaldo de batería (BBU) y los controladores de motores—, el uso de GaNEXUS contribuye a reducir el tamaño de los componentes magnéticos, ofrece una mayor densidad de potencia, mejora la eficiencia, el rendimiento térmico y la estabilidad del control y reduce las pérdidas por conmutación. En aplicaciones con tensiones más altas —como los módulos de alimentación para la IA, la conversión CC-CC de alta tensión, la corrección del factor de potencia (PFC) y las etapas de potencia LLC—, el uso de GaNEXUS permite reducir hasta en un 60 % el tamaño de los componentes magnéticos en las etapas resonantes y CA-CC de alta frecuencia, aumentar la densidad de potencia en arquitecturas PFC, LLC y CC-CC de alta tensión y abaratar los costes térmicos y de funcionamiento.
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