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Los MOSFET de SiC de 4.ª generación de ROHM se utilizarán en los inversores de Hitachi Astemo para vehículos eléctricos

mosfet sic

Contribuiremos a lograr una mayor autonomía de crucero y sistemas más pequeños en los vehículos eléctricos, tanto en Japón como en el resto del mundo, a partir de 2025

ROHM ha anunciado recientemente la adopción de sus nuevos MOSFET de SiC de 4.ª generación y circuitos integrados de controladores de compuerta (gate drivers) en inversores de vehículos eléctricos de Hitachi Astemo, Ltd., un fabricante japonés de piezas para automoción líder en el sector.

Puesto que la electrificación de los automóviles avanza rápidamente hacia una sociedad descarbonizada, se hace necesario actualmente el desarrollo de sistemas de grupos moto-propulsores eléctricos más eficientes, compactos y ligeros.

Especialmente en los vehículos eléctricos (VE), el inversor, que juega un papel fundamental en el sistema de accionamiento, necesita ser más eficiente para ampliar la autonomía de crucero y reducir el tamaño de la batería de a bordo, lo que aumenta las expectativas para los dispositivos de potencia de SiC.

Como primer proveedor del mundo en iniciar la producción en masa de MOSFET de SiC en 2010, ROHM sigue desarrollando tecnologías de dispositivos de potencia de SiC líderes en el mercado. Entre ellos se encuentran los MOSFET de SiC de 4.ª generación más recientes de ROHM, que ofrecen un tiempo de resistencia al cortocircuito mejorado junto con la resistencia en conducción más baja de la industria, lo que permite ampliar la autonomía de crucero de los vehículos eléctricos al tiempo que reducen el consumo de energía un 6 % en comparación con los IGBT (según los cálculos mediante la prueba de eficiencia de combustible WLTC, como norma internacional) cuando se instalan en el inversor principal.

Al mismo tiempo, Hitachi Astemo, que lleva varios años desarrollando tecnologías avanzadas para motores e inversores de vehículos, cuenta ya con un considerable historial en el cada vez más popular mercado de los vehículos eléctricos. Sin embargo, esta es la primera vez que se adoptan dispositivos de SiC para el circuito inversor principal para mejorar aún más el rendimiento. Está previsto que el suministro de inversores a los fabricantes de automóviles comience a partir de 2025, primero en Japón y después en todo el mundo.

En el futuro, como proveedor líder de dispositivos de potencia de SiC, ROHM seguirá reforzando su gama y proporcionando soluciones de potencia que contribuyan a la innovación técnica en los vehículos combinando tecnologías de dispositivos periféricos, como los circuitos integrados de control, diseñados para maximizar el rendimiento.