Neue Geräte werden den Energieverbrauch in Automobilanwendungen senken
Die Toshiba Electronics Europe GmbH gibt die Verfügbarkeit von zwei weiteren -60-V-P-Kanal-MOSFETs bekannt, die auf ihrem U-MOS-VI-Prozess basieren. Dadurch wird das Angebot an Geräten erweitert, die für den Einsatz in Automobilanwendungen geeignet sind, beispielsweise Lastschalter, Halbleiterrelais und Motorantriebe.
Die neuen Modelle XPH8R316MC und XPH13016MC erfüllen bereits den Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101. Dabei sind sie in einem SOP Advance (WF)-Gehäuse untergebracht, einer Art SMT mit benetzbarer Flankenanschlussstruktur. Dies erleichtert die automatisierte optische Inspektion (AOI) von Lötverbindungen, was für die Zuverlässigkeit in rauen Automobilumgebungen von entscheidender Bedeutung ist. Ein zusätzlicher Vorteil ist die Kupferverbindung innerhalb des Gehäuses, die den Gehäusewiderstand verringert, die Effizienz verbessert und die Wärmeentwicklung reduziert.
Der XPH8R316MC ist für einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -90 A bzw. 13016 A ausgelegt. Beide Geräte sind für eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von -60 V ausgelegt und können bei Kanaltemperaturen (Tch) von bis zu 180 °C betrieben werden.
Der maximale Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) des XPH8R316MC beträgt 8,3 mΩ und ist damit etwa 25 % niedriger als der des bestehenden TPCA8123 von Toshiba. Beim XPH13016MC liegt der Wert bei 12,9 mΩ und damit etwa 49 % niedriger als beim TPCA8125. Diese sehr niedrigen RDS(ON)-Werte tragen wesentlich zur Reduzierung des Energieverbrauchs in Automobilanwendungen bei.
Die neuen Geräte werden in Massenproduktion hergestellt.
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