Home Neuigkeit Toshiba kündigt neue Fotorelais für Halbleitertestanwendungen an

Toshiba kündigt neue Fotorelais für Halbleitertestanwendungen an

Toshiba-Fotorollen

Das neue Gerät bietet Niederspannungsantrieb und Hochtemperaturbetrieb

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat ein neues Fotorelais auf den Markt gebracht, das mit einer Niederspannungsansteuerung betrieben werden kann. Zusammen mit einem erweiterten Betriebstemperaturbereich ist dies ideal für anspruchsvolle Halbleitertestanwendungen.

Halbleitertester überprüfen, ob das zu testende Gerät (DUT) den Spezifikationen entspricht, indem sie eine Spannung/einen Strom an die entsprechenden Pins anlegen. Da herkömmliche Relais nicht geeignet sind, werden aufgrund ihres Halbleiterbetriebs und ihrer kompakten Größe häufig Fotorelais verwendet. Typischerweise wird ein FPGA zur Steuerung verwendet. Da diese jedoch zunehmend mit 1,8 V betrieben werden, kann die Kompatibilität ein Problem darstellen.

Der neue TLP3412SRLA bietet Toshibas niedrigste Fotorezeptor-Betriebsspannung (VFON) von nur 1,6 V und ist somit für den Einsatz mit Niederspannungs-FPGAs mit 1,8 V geeignet. Es verfügt über einen Widerstand auf der Primärseite (LED), der einen spannungsgesteuerten Betrieb ermöglicht, ohne dass externe Widerstände erforderlich sind.

Es ist üblich, Halbleiter bei erhöhten Temperaturen zu testen, und da die Fotorelais auf der Sondenplatine in der Nähe des Prüflings platziert sind, müssen sie bei erhöhten Umgebungstemperaturen betrieben werden. Das neue Gerät hat eine maximale Betriebstemperatur von 125 °C und sorgt so für einen ausreichenden Temperaturbereich innerhalb der Anlage.

Da bei Halbleitertests ein hohes Leistungsniveau erforderlich ist, werden häufig mehrere Prüflinge parallel getestet, was sehr dichte Sondenkartendesigns erfordert. Der TLP3412SRLA ist im ursprünglichen kleinen S-VSON4T-Gehäuse von Toshiba untergebracht, das nur 1,45 mm × 2,0 mm × 1,4 mm misst.

Das neue Fotorelais ist für den Kontakttyp 1-Form-A (NO) konfiguriert und verfügt über einen Durchlassstrom (ION) von 400 mA kontinuierlich oder 1200 mA gepulst (tON/tOFF Der Durchlasswiderstand beträgt typischerweise 1,0 Ω und die Schaltzeiten (tON/tOFF) betragen weniger als 350 μs bzw. 150 μs. Die Isolationsspannung (BVs) beträgt mindestens 500 Vrms.

Der TLP3412SRLA eignet sich nicht nur ideal für Halbleitertests, sondern auch für eine Vielzahl anspruchsvoller Industrieanwendungen, einschließlich speicherprogrammierbarer Steuerungen (SPS).

Weitere Informationen zum neuen Fotorelais auf der Toshiba-Website: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/photorelay-mosfet-output/detail.TLP3412SRLA.html