El control de MOSFET de potencia en fuentes conmutadas de alta corriente | Revista Española de Electrónica
lunes , enero 25 2021
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El control de MOSFET de potencia en fuentes conmutadas de alta corriente

El control de MOSFET de potencia en fuentes conmutadas de alta corriente
Abid Hussain/Martin Burghardt, Microchip Technology Inc
Los transistores MOSFET de potencia reúnen una serie de características que los convierten en los dispositivos de conmutación más indicados en las fuentes de alimentación conmutadas (FAC), como su baja resistencia en conducción y su capacidad para trabajar con altas corrientes. De todas formas, también presentan algunos retos de diseño adicionales.

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