Seis nuevos MOSFET de potencia de canal N de la serie DTMOSVI 600 V con encapsulado TO-247-4L(X) de 4 pines para una mayor eficiencia
El innovador diseño del encapsulado y la estructura optimizada de la puerta proporcionan importantes mejoras de rendimiento para aplicaciones de potencia críticas
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») lanza seis nuevos productos con chips MOSFET de potencia de canal N de la serie DTMOSVI 600 V, montados en un encapsulado TO-247-4L(X) de 4 pines. Estos avanzados dispositivos TKxxxZ60Z1 están diseñados para reducir significativamente las pérdidas de conmutación. Son adecuados para una amplia gama de aplicaciones exigentes, como servidores en centros de datos, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) para equipos industriales y acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos (PV).
La serie DTMOSVI 600 V, presente en estos nuevos productos, ha sido diseñada con un diseño y un proceso de puerta optimizados. Esta optimización ha dado lugar a una reducción de la resistencia de drenaje-fuente (RDS(ON)) por unidad de superficie de aproximadamente un 13 %. Además, la cifra de mérito (FOM) crucial para el rendimiento de los MOSFET, RDS(ON) × carga puerta-drenaje (Qgd), se ha reducido en aproximadamente un 52 % en comparación con los productos de la serie DTMOSIV-H de la generación anterior de Toshiba con los mismos valores nominales de tensión drenaje-fuente (VDS) de 600 V. Por ejemplo, el TK024Z60Z1 tiene un RDS(ON) de 20 mΩ y Qgd of 37 nC. Esto se traduce en un mejor equilibrio entre la pérdida de conducción y la pérdida de conmutación, lo que contribuye directamente a la alta eficiencia de las fuentes de alimentación conmutadas.
Los nuevos productos incorporan un encapsulado TO-247-4L(X) de cuatro pines, que incluye un terminal de fuente de señal dedicado para el control de la puerta. Esta mejora en el diseño reduce significativamente el impacto de la conmutación debido a la inductancia del cable de fuente dentro del encapsulado, un problema común en los encapsulados convencionales de tres pines. En los encapsulados de tres pines, la inductancia del cable de fuente genera una tensión electromotriz contraria que reduce la tensión efectiva de control de la puerta, lo que ralentiza la velocidad de conmutación del MOSFET. Por el contrario, el encapsulado de cuatro pines conecta el terminal de fuente de señal cerca del chip FET, lo que mitiga este efecto y permite que el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente sea aproximadamente igual al voltaje de control de puerta. Esta mejora aumenta la velocidad de conmutación y mejora el rendimiento de conmutación de alta velocidad, lo que contribuye a la alta eficiencia requerida en aplicaciones como servidores, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores fotovoltaicos. Sin embargo, es importante señalar que el encapsulado TO-247-4L(X) tiene un aspecto y unas dimensiones diferentes en comparación con el encapsulado TO-247-4L de cuatro pines existente de Toshiba, ya que cuenta con una cavidad entre los pines de drenaje y fuente para aumentar la distancia de fuga.
Toshiba sigue apoyando a los diseñadores de circuitos ofreciéndoles una gama de herramientas, entre las que se incluyen el modelo G0 SPICE para la verificación rápida de la función de los circuitos y los modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen con exactitud las características transitorias.
Toshiba se compromete a ampliar aún más su gama de productos de la serie DTMOSVI 600 V, contribuyendo a la mejora continua de la eficiencia energética de los equipos electrónicos.
Para obtener más información sobre los nuevos productos, consulte las siguientes páginas.
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