A medida que la inteligencia artificial continúa redefiniendo los límites de la computación, la infraestructura que impulsa estos avances debe evolucionar en paralelo. ROHM, un líder reconocido en tecnología de semiconductores de potencia, se enorgullece de ser uno de los principales proveedores de silicio que respaldan la nueva arquitectura de Corriente Continua de Alto Voltaje (HVDC) de 800 V de NVIDIA. Este avance marca un cambio fundamental en el diseño de centros de datos, permitiendo fábricas de IA a escala de megavatios que son más eficientes, escalables y sostenibles.
El portafolio de dispositivos de potencia de ROHM abarca tanto tecnologías de silicio como de banda prohibida ancha (Wide Bandgap), incluyendo carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), lo que ofrece una vía estratégica para los diseñadores de centros de datos. Los MOSFETs de silicio de ROHM ya se utilizan ampliamente en los sectores automotriz e industrial, proporcionando una solución rentable y confiable para las necesidades actuales de conversión de energía. Son ideales para aplicaciones donde se requiere un equilibrio entre precio, eficiencia y fiabilidad, lo que los convierte en una excelente opción en las etapas de transición de la infraestructura de IA.
Un ejemplo destacado es el RY7P250BM, un MOSFET de potencia de 100 V respaldado por importantes proveedores globales de servicios en la nube y diseñado específicamente para circuitos hot-swap en sistemas de alimentación de 48 V —un componente esencial en servidores de IA—. Entre sus características clave se incluyen el mejor rendimiento de su clase en el Área de Funcionamiento Seguro (SOA, por sus siglas en inglés) y una resistencia ON ultra baja (1,86 mΩ) en un paquete compacto 8080. Estas características ayudan a reducir la pérdida de energía y a mejorar la fiabilidad del sistema, requisitos cruciales en plataformas en la nube de alta densidad y alta disponibilidad. A medida que los centros de datos migran de 12 V a 48 V y más allá, la capacidad hot-swap se vuelve crítica para mantener el tiempo de actividad y proteger contra corrientes de irrupción.
La rectificación de grado industrial con pérdidas mínimas es un área donde los dispositivos SiC de ROHM sobresalen y están alineados con los planes de NVIDIA para comenzar el despliegue a gran escala de su arquitectura HVDC de 800 V en centros de datos, destinada a alimentar racks de computación de 1 MW o más. En el núcleo de esta nueva infraestructura de NVIDIA se encuentra la conversión directa de 13,8 kV CA de la red en 800 V CC. La iniciativa busca abordar las ineficiencias de los sistemas tradicionales de alimentación de racks de 54 V, que están limitados por el espacio físico, la sobrecarga de cobre y las pérdidas de conversión.
Los MOSFETs de SiC de ROHM ofrecen un rendimiento superior en entornos de alta tensión y alta potencia, brindando mayor eficiencia gracias a menores pérdidas de conmutación y conducción, mayor estabilidad térmica para sistemas compactos y de alta densidad, y fiabilidad comprobada en aplicaciones críticas. Estas características se alinean perfectamente con los requisitos de la arquitectura HVDC de 800 V de NVIDIA, que busca reducir el uso de cobre, minimizar las pérdidas energéticas y simplificar la conversión de energía en todo el centro de datos.
Complementando al SiC, ROHM está avanzando en tecnologías de nitruro de galio bajo la marca EcoGaN™. Mientras que el SiC es más adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, el GaN ofrece un rendimiento excepcional en el rango de 100 V a 650 V, con una mayor resistencia dieléctrica, baja resistencia ON y conmutación ultrarrápida. La amplia gama EcoGaN™ de ROHM incluye transistores GaN HEMT de 150 V y 650 V, drivers de compuerta y circuitos integrados de etapa de potencia. Al mismo tiempo, la tecnología patentada Nano Pulse Control™ mejora aún más el rendimiento de conmutación, reduciendo los anchos de pulso a tan solo 2 ns. Estas innovaciones apoyan la creciente demanda de sistemas de alimentación más pequeños y eficientes en centros de datos de IA.
Más allá de los dispositivos discretos, ROHM ofrece una gama de módulos SiC de alta potencia, incluyendo encapsulados moldeados con refrigeración por la parte superior, como el HSDIP20, equipados con chips SiC de 4ª generación avanzada. Estos módulos SiC de 1200 V están optimizados para topologías LLC en convertidores CA-CC y aplicaciones del lado primario en convertidores CC-CC. Diseñados para una conversión de potencia de alta eficiencia y densidad, son especialmente adecuados para los sistemas de alimentación centralizada previstos en la arquitectura de NVIDIA. Su sólido rendimiento térmico y escalabilidad los hacen ideales para sistemas de bus de 800 V y configuraciones de racks a escala de megavatios.
La transición hacia una infraestructura HVDC de 800 V es un esfuerzo colaborativo. ROHM está comprometido a trabajar estrechamente con líderes de la industria como NVIDIA, así como con operadores de centros de datos y diseñadores de sistemas de energía, para proporcionar las tecnologías de silicio fundamentales necesarias para esta próxima generación de fábricas de IA. Nuestra experiencia en semiconductores de potencia, particularmente en materiales de banda prohibida ancha como SiC y GaN, nos posiciona como un socio clave en el desarrollo de soluciones que no solo son potentes, sino que también contribuyen a un futuro digital más sostenible y eficiente en energía.
Más información en el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com
