KIOXIA presenta los dispositivos de memoria flash integrada QLC UFS 4.1 para almacenamiento móvil de alta capacidad
La tecnología BiCS FLASHTM de 8.ª generación ofrece mejoras en rendimiento y eficiencia
KIOXIA Europe ha anunciado hoy que KIOXIA ha comenzado a probar nuevos dispositivos de memoria integrada Universal Flash Storage (UFS) ver. 4.1 con tecnología de celda cuádruple (QLC) de 4 bits por celda. Diseñados para aplicaciones con un uso de lectura intensiva y necesidades de almacenamiento de alta capacidad, los nuevos dispositivos cuentan con la tecnología de memoria flash BiCS FLASHTM 3D de 8.ª generación de KIOXIA.
Los dispositivos UFS con tecnología QLC ofrecen una mayor densidad de bits que los UFS TLC tradicionales, lo que los hace ideales para aplicaciones móviles que requieren mayores capacidades de almacenamiento. Los avances en la tecnología de controladores y la corrección de errores han permitido que la tecnología QLC logre esta meta al tiempo que se mantiene el rendimiento competitivo.
Aprovechando estos avances, los nuevos dispositivos KIOXIA logran aumentos sustanciales en el rendimiento. Los dispositivos UFS QLC de KIOXIA aumentan las velocidades de escritura secuencial en un 25 %, las velocidades de lectura aleatoria en un 90 % y las velocidades de escritura aleatoria en un 95 % en comparación con la generación anterior (UFS 4.0/UFS QLC BiCS6). El factor de amplificación de escritura (WAF) también se ha mejorado hasta un máximo de 3,5 veces (con WriteBooster deshabilitado).
Los dispositivos UFS QLC de KIOXIA, ideales para smartphones y tabletas, también son compatibles con categorías de productos emergentes que exigen mayor capacidad y rendimiento, como ordenadores, redes, AR/VR, IoT y dispositivos con IA.
Disponibles en capacidades de 512 gigabytes (GB) y 1 terabyte (TB), los nuevos dispositivos UFS 4.1 combinan en un paquete estándar JEDEC la avanzada memoria flash BiCS FLASHTM 3D de KIOXIA y un controlador integrado. La memoria flash BiCS FLASHTM 3D de 8.ª generación de KIOXIA presenta la tecnología CMOS directamente unida a la matriz (CBA), una innovación de arquitectura que marca un cambio radical en el diseño de la memoria flash.
Las funciones clave incluyen:
Cumplimiento de la especificación UFS 4.1. UFS 4.1 es compatible con versiones anteriores UFS 4.0 y UFS 3.1.
Memoria flash BiCS FLASHTM 3D de KIOXIA de 8.ª generación.
Soporte de WriteBooster para velocidades de escritura significativamente más rápidas.
Tamaño menor del paquete en comparación con los dispositivos UFS QLC anteriores: de 11 × 13 mm a → 9 × 13 mm.
Según afirma Axel Störmann, director tecnológico y vicepresidente de KIOXIA Europe, «En KIOXIA, la innovación en memoria flash es fundamental para responder a las crecientes exigencias de capacidad y rendimiento. Con QLC UFS 4.1, los últimos avances en arquitectura y diseño se traducen en capacidades prácticas que ayudan a nuestros clientes a abordar casos de uso móviles y conectados cada vez más complejos y diversos».
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