KIOXIA y Western Digital anuncian la nueva memoria flash 3D

Innovaciones arquitectónicas innovadoras en tecnología de escalado y de unión de obleas suponen un gran salto en rendimiento, densidad y rentabilidad

KIOXIA Europe GmbH comunica los recientes avances de la cooperación entre KIOXIA Corporation y Western Digital Corp. Las compañías, demostrando una innovación continua, han anunciado los detalles de su más reciente tecnología de memoria flash 3D. La memoria flash 3D ofrece una capacidad, un rendimiento y una fiabilidad excepcionales a un precio atractivo, lo que la hace ideal para satisfacer las necesidades de crecimiento exponencial de datos en una amplia gama de segmentos de mercado.

«La nueva memoria flash 3D demuestra los beneficios de nuestra firme asociación con KIOXIA y nuestro liderazgo combinado en innovación», afirma Alper Ilkbahar, Vicepresidente Senior de Tecnología y Estrategia de Western Digital.

«Trabajando con una hoja de ruta de I+D común e invirtiendo continuamente en I+D, hemos podido producir esta tecnología fundamental antes de lo previsto y ofrecer soluciones de alto rendimiento y de bajo consumo de capital».

KIOXIA y Western Digital redujeron los costes al introducir varios procesos y arquitecturas únicos, lo que permitió avances continuos en la escalabilidad lateral. Este equilibrio entre escalabilidad vertical y lateral produce una mayor capacidad en un cubo más pequeño con menos capas a un coste optimizado. Las compañías también desarrollaron una tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), en la que cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrican por separado en su estado optimizado y luego se unen para proporcionar una mayor densidad de bits y una velocidad de entrada/salida NAND rápida.

«Gracias a nuestra asociación de ingeniería única, hemos podido lanzar con éxito la octava generación de BiCS FLASHTM con la densidad de bits más alta del sector», afirma Masaki Momodomi, Director de Tecnología de KIOXIA Corporation. «Me complace que los envíos de muestras de KIOXIA para clientes limitados hayan comenzado. Mediante la aplicación de la tecnología CBA y las innovaciones de escalabilidad, hemos avanzado en nuestra cartera de tecnologías de memoria flash 3D para su uso en una variedad de aplicaciones centradas en datos, incluidos teléfonos inteligentes, dispositivos IoT y centros de datos».

El flash 3D de 218 capas aprovecha 1 Tb de celda de tres niveles (TLC) y celda de cuatro niveles (QLC) con cuatro planos y cuenta con una innovadora tecnología de encogimiento lateral para aumentar la densidad de bits en más del 50 %. Su I/O NAND de alta velocidad a más de 3,2 Gb/s, una mejora del 60 % respecto a la generación anterior, combinada con un rendimiento de escritura y una mejora de la latencia de lectura del 20 %, que acelerará el rendimiento general y la usabilidad para los usuarios.