Con la creciente prevalencia de los semiconductores de potencia de SiC, los voltajes en la electrónica de potencia, los sistemas de alimentación y la electromovilidad están aumentando. Esto genera nuevas exigencias para la tecnología de conmutación. En los sistemas de prueba automatizados, en particular, es necesario conmutar voltajes de CC elevados de forma fiable sin comprometer el tamaño, la vida útil ni la velocidad de prueba. OMRON ofrece la serie G3VH para estas aplicaciones. Este relé MOSFET basado en SiC puede manejar voltajes de carga de 1800 V o 3300 V y está disponible actualmente en www.rutronik24.com.
Alta resistencia al voltaje en un diseño compacto
La serie G3VH combina altos voltajes de carga con baja resistencia de activación y un rendimiento de conmutación rápido. El voltaje de aislamiento entre la entrada y la salida es de 5000 Vrms. Esto hace que el relé sea especialmente adecuado para aplicaciones de CC de alto voltaje y para la prueba de semiconductores de potencia modernos. En comparación con los relés MOSFET convencionales, esta serie permite voltajes de conmutación más elevados. En comparación con los relés de láminas, se prioriza un diseño más compacto y la alta fiabilidad de la solución de semiconductores.
La combinación de un alto rendimiento de aislamiento y una conmutación rápida resulta especialmente atractiva para los desarrolladores de sistemas de prueba automatizados (ATE) y de medición. Esta característica permite una detección precisa de fallos y conformidades, y puede reducir los tiempos de prueba. Gracias a su diseño semiconductor resistente al desgaste, el relé es ideal para sistemas duraderos y de bajo mantenimiento. El encapsulado DIP6 mide tan solo 8,8 × 6,4 mm y está disponible con terminales para PCB o SMD.
Características principales:
- Relé MOSFET basado en SiC
- Tensión de carga: 1.800 V o 3.300
- Tensión de aislamiento de entrada/salida: 5000 Vrms
- Baja resistencia de encendido
- Cambio rápido
- Encapsulado DIP6 con terminales para PCB o SMD
Desde las pruebas de semiconductores hasta el almacenamiento de energía, las áreas de aplicación clave incluyen:
- Equipos de prueba automáticos (ATE) para semiconductores de potencia
- Equipos de prueba y medición
- Sistemas de gestión de baterías (BMS)
- Vehículos eléctricos y sistemas eléctricos de vehículos de alta tensión
- Almacenamiento de energía e infraestructura energética
- Automatización industrial e ingeniería mecánica
- Tecnología ferroviaria
Especialmente para aplicaciones superiores a 1000 V, la serie G3VH responde a la necesidad de combinar altos voltajes con dimensiones compactas y largos ciclos de conmutación.
