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Consiga una salida de 10W de altas prestaciones con el amplificador de potencia de GaN sobre SiC TGA2976-SM de Qorvo a través de Mouser

Mouser Electronics, Inc. dispone del amplificador de potencia de nitruro de galio (GaN) TGA2976-SM de Qorvo. El TGA2976-SM, desarrollado mediante un método de producción de Qorvo de 0,25μm de GaN sobre carburo de silicio (SiC), ofrece unos niveles excepcionales de prestaciones en banda ancha, potencia, eficiencia de potencia añadida (power added efficiency, PAE) y ganancia. La tecnología GaN logra densidades de potencia de radiofrecuencia (RF) entre cinco y seis veces superiores a las de los amplificadores de RF basados en arseniuro de galio. Las prestaciones y la fiabilidad demostradas de la tecnología GaN la convierten en una elección ideal para aplicaciones en infraestructuras, defensa y aeroespaciales como radar, guerra electrónica, comunicaciones, navegación y otras aplicaciones similares. Este aumento de prestaciones ofrece a los diseñadores la flexibilidad de reducir el espacio ocupado en la placa y los costes del sistema, así como de mejorar las prestaciones del sistema. El amplificador de banda ancha TGA2976-SM de Qorvo, disponible a través de Mouser Electronics, no contiene plomo y es conforme a RoHS, ofrece unas prestaciones excepcionales en banda ancha y puede trabajar a 40V. El TGA2976-SM funciona entre 0,1 y 3,0 GHz y proporciona una potencia de salida saturada superior a 10W con más de 13dB de ganancia para señales fuertes y una PAE superior al 38 por ciento. El TGA2976-SM se adapta totalmente a 50 ohms en ambos puertos de RF, simplificando así la integración del sistema. El amplificador TGA2976-SM, que se suministra en un encapsulado laminado con cavidad de aire para montaje superficial de bajo coste y 4×4mm, resulta apropiado para las aplicaciones de radar y comunicaciones utilizadas en los mercados de defensa y comercial. Para más información, visite http:// www.mouser.com/new/qorvo/qorvotga2976- sm-amplifier/.



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