Desde comunicaciones por satélite hasta sistemas de prueba, nuestros amplificadores de RF y microondas están indicados para diseños de alto rendimiento con un aprovechamiento eficiente del espacio en aplicaciones aeroespaciales y de defensa.
Nuestros amplificadores de potencia de nitruro de galio (GaN) sobre carburo de silicio (SiC) ofrecen una elevada potencia de salida con una mayor eficiencia térmica para las bandas de frecuencia X, Ku y Ka. Además, nuestros amplificadores de bajo ruido de arseniuro de galio (LNA GaAs) destacan por su bajo ruido, por lo que mejoran la sensibilidad del receptor.
También proporcionamos soluciones completas en la cadena de señal de RF diseñadas para ofrecer ventajas en cuanto a tamaño, peso, consumo y coste (SWaP-C). El amplificador distribuido de GaAs MMA151PP5, que funciona entre CC y 24 GHz, alcanza 14 dB de ganancia, 30 dBm de Psat y –37 dBc de IMD. De ahí que sea ideal para cumplir los requisitos de las aplicaciones de transmisión/recepción en banda ancha e instrumentación.
Descubra cómo pueden ayudarle nuestras soluciones de RF a sumplir sus objetivos de rendimiento, tamaño y eficiencia.
