Mouser Electronics, Inc., ofrece ahora el nuevo módulo MOSFET de potencia de 200 A y 80 V VS-HOT200C080 de Vishay Intertechnology. VS-HOT200C080 es un dispositivo integrado que ahorra espacio, reduce las pérdidas por conducción y aumenta la fiabilidad en los inversores de tracción de 48 V de vehículos eléctricos ligeros (LEV, por sus siglas en inglés) y los generadores de arranque accionados por correa y los sistemas de recuperación de aplicaciones de coches híbridos ligeros (MHEV).
El módulo MOSFET de potencia de 200 A y 80 V VS-HOT200C080 de Vishay, disponible en Mouser, integra los MOSFET de 80 V en una configuración de medio puente, con la mejor RDS(ON) en un encapsulado compacto FlatPAK HC0 de moldeo por transferencia. Además, VS-HOT200C080 cuenta con una resistencia de derivación para medir la corriente, condensadores de desacoplamiento para mejorar el rendimiento de conmutación y un NTC para detección de temperatura. Para aumentar la eficiencia, la baja resistencia en conducción del MOSFET reduce las pérdidas por conducción un 32 % en comparación con las soluciones de la competencia, y reduce también los requisitos de espacio en la placa hasta un 15 % en comparación con las soluciones discretas tradicionales. Este dispositivo tiene una tensión drenaje-fuente (VDSS) de 80 V y una corriente de drenaje continua (ID) de 195 A (TC = +80 °C). La tecnología de moldeo por transferencia del módulo de potencia permite un rendimiento muy fiable en un amplio intervalo de temperatura de funcionamiento, de −55 a +175 °C, especialmente durante los ciclos de apagado y encendido, lo que permite que el dispositivo cumpla los estrictos requisitos de fiabilidad de AQG 324.
El encapsulado HC0 de VS-HOT200C080 también incluye pines de señal y pestañas de potencia a diferentes alturas. Esto permite a los diseñadores usar PCB de potencia y señal separados, lo que simplifica los diseños y mejora el enrutamiento. Para ahorrar más espacio en la placa, los PCB de señal y potencia se pueden apilar.
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