Nexperia presenta una nueva tecnología de encapsulado flip-chip optimizada de alta velocidad para la protección contra descargas electrostáticas en el sector de la automoción

Los nuevos encapsulados flip-chip land grid array (FC-LGA) ofrecen un rendimiento RF superior y cumplen con los estándares de calidad del sector de la automoción con las primeras versiones de flanco humectable (side wettable) lateral de la industria

Nexperia ha anunciado hoy una nueva cartera de diodos de protección bidireccional contra descargas electrostáticas (ESD) de alta integridad de señal en un innovador encapsulado flip-chip land-grid-array (FC-LGA). Esta nueva tecnología de encapsulado está optimizada para proteger y filtrar los enlaces de comunicación de datos de alta velocidad que se utilizan cada vez más en los vehículos modernos. Aplicaciones como los enlaces de vídeo de cámaras en vehículos, las redes Ethernet multigigabit para automoción, así como las interfaces de infoentretenimiento como USBx, HDMIx y PCIex, pueden protegerse contra eventos ESD potencialmente dañinos.

Los encapsulados flip-chip tienen componentes parásitos mínimos: no tienen cables de unión ni marcos de cobre, lo que da como resultado un alto rendimiento y una excelente integridad de la señal. Los nuevos diodos FC-LGA de 2 y 3 pines de Nexperia tienen una capacitancia ultrabaja (<0,25 pF) y una pérdida de inserción (-3 dB a 14,6 GHz), características que son clave para su uso en aplicaciones de alta velocidad de datos. Ambos encapsulados flip-chip, el DFN1006L(D)-2 de 2 pines y el DFN1006L(D)-3 de 3 pines, comparten el mismo espacio que sus homólogos estándar, lo que garantiza una compatibilidad inmediata. Ofrecen una mejora del ancho de banda de hasta 6 GHz en comparación con las tecnologías DFN convencionales. Además, la capacidad de los dispositivos de 3 pines para proteger dos canales y ofrecer adaptación de capacitancia ahorra más espacio al tiempo que mejora aún más el rendimiento y la estabilidad del circuito.

Además de ofrecer la mejor integridad de señal de su clase, esta familia de diodos también cuenta con la gama más amplia del sector de voltajes de funcionamiento inverso (V_rwm), incluidas las opciones de 5 V, 18 V, 24 V y 30 V. Los dispositivos de mayor voltaje ofrecen la ventaja adicional de una colocación flexible en la placa para proteger múltiples dispositivos conectados en varios puntos a lo largo de un enlace. Con productos como el PESD5V0H1BLG-Q en el encapsulado DFN1006LD-2 y el PESD5V0H2BFG-Q en el encapsulado DFN1006LD-3 Nexperia es el único proveedor que ofrece diodos de protección ESD en encapsulados flip-chip con SWF (Side Wettable Flanks). Esto permite el uso de la inspección óptica automatizada (AOI) de las juntas de soldadura para garantizar que cumplen los exigentes requisitos de calidad de la industria automotriz, donde la seguridad es primordial.

«Estos nuevos diodos combinan SWF con una huella DFN1006 optimizada para una máxima integridad de la señal y representan una mejora significativa de las opciones disponibles actualmente. Diseñados para apoyar la creciente tendencia de las aplicaciones automotrices con uso intensivo de datos, reflejan la experiencia probada de Nexperia en tecnología de encapsulado. Este lanzamiento refuerza nuestro compromiso de ofrecer soluciones innovadoras que satisfagan las demandas cambiantes de los ingenieros en una amplia gama de industrias», afirma Alexander Benedix, Jefe del Grupo de Productos de Protección y Filtrado de Nexperia.

Los tres primeros diodos Flip-Chip de 5 V están en producción en masa. Seis productos con 18 V, 24 V y 30 V están en fase de muestreo y estarán disponibles en producción en masa en el segundo trimestre de 2025. Para obtener más información sobre los diodos de protección ESD de Nexperia en FC-LGA, visite: http://www.nexperia.com/flip-chip-esd-protection