Infineon Technologies AG anunció hoy que Chicony Power ha seleccionado los transistores CoolGaN™ G5 de la compañía para alimentar varios adaptadores diseñados para los portátiles de un cliente de alto nivel. El diseño demuestra cómo los semiconductores de potencia de GaN están acelerando la transición a soluciones de carga más compactas y energéticamente eficientes, lo que permite formatos más pequeños y una mayor sostenibilidad para la informática convencional.
En el corazón del nuevo diseño del adaptador se encuentran los transistores CoolGaN G5 de Infineon, diseñados para una conmutación rápida y bajas pérdidas de conducción en una amplia gama de condiciones de funcionamiento. Los transistores GaN de alto voltaje (HV) de Infineon cuentan con un diseño fundamental de alto rendimiento denominado GIT (transistor de inyección de compuerta) de drenaje híbrido, que proporciona la funcionalidad de compuerta de HV más robusta, un rendimiento superior de Rdson dinámico y conmutación dura, y una corriente de saturación mucho mayor, lo que se traduce en una excelente fiabilidad general. Sobre esta base, la nueva familia de HV de Infineon, los transistores G5, ofrece un rendimiento hasta un 30 % superior en valores de referencia estándar, como R DS(on) *Qg, en comparación con su predecesor.
Los transistores CoolGaN G5 representan nuestro compromiso con los semiconductores de potencia fiables y de alto rendimiento. La colaboración con Chicony Power para el adaptador del cliente principal pone de manifiesto cómo el GaN ofrece beneficios tangibles para el usuario final (menor tamaño, carga más rápida y menor consumo de energía) sin comprometer la robustez, afirmó Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio de GaN en Infineon.
Los transistores CoolGaN G5 de Infineon nos brindan el margen de diseño necesario para optimizar la densidad de potencia y la eficiencia en un espacio compacto. Esta colaboración ayuda a ofrecer soluciones de carga que se ajustan a la experiencia de usuario premium que esperan nuestros clientes de portátiles, afirmó Yang Wang, vicepresidente de I+D de Chicony Power.
Los aspectos de ingeniería impulsados por las capacidades de diseño de Chicony Power con el uso de transistores GaN HV G5 de Infineon incluyen una arquitectura de potencia de alta frecuencia con PFC optimizado y etapas CC/CC que aprovechan la característica de conmutación rápida de GaN, un diseño consciente de EMI mediante el cual el diseño, el filtrado y los perfiles de conmutación están ajustados para brindar bajo ruido y fuertes márgenes de cumplimiento, y optimización térmica que permite un funcionamiento más frío y una salida sostenida de 100-300 W en envolventes mecánicas compactas.
Infineon cuenta con una sólida cartera de productos, con más de 40 nuevos anuncios de productos de GaN el año pasado, y es un socio preferente para clientes que buscan soluciones de GaN de alta calidad. La compañía avanza con buen ritmo en la implementación de la fabricación escalable de GaN en obleas de 300 milímetros, y las primeras muestras ya se están enviando a los clientes. El GaN de 300 milímetros permite una mayor capacidad de producción y una entrega más rápida de productos de GaN de alta calidad, lo que consolida aún más la posición de Infineon en el mercado del GaN.
Disponibilidad
Para obtener más información sobre los transistores GaN más nuevos de Infineon, la serie G5, visite nuestro sitio web.
