Mejora el rendimiento y la eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales con una mejor relación de mérito (RDS(ON) x Qg)
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanzado el TPH2R70AR5, un nuevo MOSFET de potencia de canal N con una tensión nominal de 100 V fabricado con su proceso de última generación, conocido como U-MOS11-H. El MOSFET se utilizará principalmente en aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), en particular en convertidores CC-CC de alta eficiencia. Los sectores de aplicación clave serán los centros de datos, las estaciones base de comunicaciones y otros equipos industriales de alta gama.
Gracias al avanzado proceso U-MOS11-H de 100 V, el TPH2R70AR5 ofrece importantes ventajas de rendimiento con respecto a los dispositivos fabricados con el proceso U-MOSX-H existente. Por ejemplo, en comparación con el anterior TPH3R10AQM, la resistencia de drenaje-fuente (RDS(ON)) se ha reducido en torno al 8 % hasta solo 2,7 mΩ (max.) mientras que la carga de drenaje de puerta (Qg) es ahora un 37 % con 52 nC (típ.). Por lo tanto la figura de mérito (FoM) RDS(ON) x Qg mejora en un 42 %.
Además, el TPH2R70AR5 alcanza un rendimiento de diodo de cuerpo de alta velocidad mediante la aplicación de la tecnología de control de vida útil. Como resultado, en comparación con el TPH3R10AQM, se mejora la velocidad de conmutación y, además, se reducen el tiempo de recuperación del diodo y el ruido. La tecnología de control de la vida útil también reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) a 55 nC (típ.) y suprime los pricos de tensión. La FoM RDS(ON) x Qrr mejora en un 43 %.
Las destacadas características RDS(ON), Qg, y Qrr reducen tanto las pérdidas de conducción como las de conmutación, lo que contribuye a una mayor eficiencia en aplicaciones relacionadas con la energía. Esto reduce el coste operativo y permite una mayor densidad de potencia. Alojado en el encapsulado SOP Advance (N) que mide solo 5,15 mm x 6,1 mm, el dispositivo ofrece una excelente compatibilidad de montaje con los estándares de la industria.
El nuevo TPH2R70AR5 está clasificado para una corriente de drenaje máxima (ID) de 190 A a una temperature ambiente de 25 °C. El dispositivo es capaz de funcionar con una temperatura de canal (Tch) de hasta 175 °C, lo que reduce la necesidad de medidas de refrigeración.
Toshiba también ofrece herramientas de soporte al diseño de circuitos: el modelo G0 SPICE, que verifica el funcionamiento del circuito en poco tiempo, y los modelos G2 SPICE, de gran precisión, que reproducen con exactitud las características transitorias. Todas las herramientas de soporte están ahora disponibles mediante descarga gratuita desde la web de Toshiba.
Los envíos del TPH2R70AR5 comienzan con efecto inmediato.
Toshiba seguirá ampliando su gama de MOSFET de baja pérdida que permiten fuentes de alimentación más eficientes y contribuyen a reducir el consumo de energía de los equipos.
Más información sobre el nuevo MOSFET de potencia de canal N TPH2R70AR5 en la página web de Toshiba.: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH2R70AR5.html
