Las últimas incorporaciones garantizan que Nexperia conserve la oferta de FET GaN más amplia de la industria
Nexperia ha anunciado hoy la incorporación de 12 nuevos dispositivos a su cartera de FET GaN e-mode en continua expansión. Esta última versión tiene como objetivo satisfacer la creciente demanda de sistemas más eficientes y compactos. Los nuevos FET GaN e-mode de baja y alta tensión se dirigen a múltiples mercados, como el de consumo, el industrial, el de servidores/computing y el de telecomunicaciones, con especial atención a los casos de uso de alta tensión, de baja a media potencia y de baja tensión, de baja a alta potencia. Desde la introducción de los FET GaN e-mode en 2023, Nexperia sigue siendo el único proveedor del sector que ofrece dispositivos tanto en modo cascode o d-mode y e-mode, lo que proporciona a los diseñadores comodidad cuando se enfrentan a desafíos variables durante el proceso de diseño.
Las últimas incorporaciones a la cartera de FET GaN e-mode de Nexperia incluyen nuevos dispositivos bidireccionales de bajo voltaje de 40 V (RDSon<12 mΩ) para admitir protección contra sobretensión (OVP), conmutación de carga y aplicaciones de bajo voltaje, incluidos sistemas de gestión de baterías (BMS) en dispositivos móviles y ordenadores portátiles. En esta versión también se incluyen dispositivos de 100 V y 150 V (RDSon<7 mΩ) adecuados para fuentes de alimentación de rectificación síncrona (SR) en dispositivos de consumo, convertidores CC-CC en equipos de telecomunicaciones y comunicaciones de datos, microinversores fotovoltaicos, amplificadores de audio de clase D y sistemas de control de motores en bicicletas eléctricas, carretillas elevadoras y vehículos eléctricos ligeros (LEV). La nueva gama de voltaje más alto cuenta con dispositivos de 700 V (RDSon>140 mΩ) para soportar controladores LED y aplicaciones de corrección del factor de potencia (PFC), y dispositivos de 650 V (RDSon>350 mΩ) adecuados para su uso en convertidores CA/CC.
El rendimiento superior de conmutación de la tecnología FET GaN e-mode de Nexperia se debe a sus valores QG y QOSS excepcionalmente bajos. Estos nuevos dispositivos ofrecen valores de mérito (FOM) líderes en la industria, lo que los convierte en la mejor opción para soluciones de energía de alta eficiencia.
Para obtener más información sobre los últimos FET GaN e-mode de Nexperia, visite: nexperia.com/gan-fets
