Los nuevos dispositivos combinan la célula de memoria actual con tecnologías CMOS avanzadas para lograr una alta eficiencia de inversión
KIOXIA Europe GmbH ha anunciado que KIOXIA Corporation ha empezado a enviar muestras de dispositivos de memoria de 1 TB (terabit) de tipo Triple-Level Cell (TLC) que incorporan su tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de novena generación. Estos dispositivos están diseñados para aplicaciones como ordenadores y smartphones con IA que tienen capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio y que requieren un alto rendimiento.
KIOXIA sigue apostando por una estrategia de doble eje basada en su innovadora tecnología CMOS directamente unida a la matriz (CBA) y en la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS). En el marco de esta estrategia única de doble eje, KIOXIA está desarrollando en paralelo dos líneas de productos distintas: sus soluciones de 9.ª generación, que ofrecen un alto rendimiento con un coste de inversión relativamente bajo, y su tecnología de 10.ª generación, que aprovecha el apilamiento avanzado de capas para lograr una capacidad enorme y un rendimiento superior.
Los nuevos dispositivos BiCS FLASH™ TLC de 1 TB de 9.ª generación, desarrollados mediante un proceso de apilamiento de 230 capas basado en la tecnología BiCS FLASH™ de 8.ª generación y en tecnología CMOS avanzada, ofrecen una velocidad de interfaz NAND de 4,8 GB/s, lo que supone una mejora del 33 % respecto a los dispositivos de 8.ª generación y equipara el rendimiento de los dispositivos de 10.ª generación.
Guiada por su misión de «mejorar el mundo con la “memoria”», KIOXIA sigue comprometida con impulsar la innovación tecnológica, fortalecer las colaboraciones internacionales y ofrecer soluciones de almacenamiento avanzadas que impulsen la infraestructura moderna de IA.
