- El mercado de nitruro de galio (GaN) alcanzará los 3.000 millones de dólares en 2030, con un crecimiento anual compuesto del 44 %.
- Los interruptores bidireccionales de GaN de alto voltaje de Infineon cuentan con un diseño revolucionario de drenaje común con una estructura de doble compuerta.
- Los semiconductores de potencia de GaN ingresan a nuevos mercados, incluidos la inteligencia artificial, la robótica y la computación cuántica.
La industria de la electrónica de potencia está experimentando una transformación significativa, impulsada por la creciente adopción de soluciones de energía de nitruro de galio (GaN). Infineon Technologies ha publicado la edición 2026 de su informe anual GaN Insights, que ofrece información valiosa sobre el mundo de la tecnología GaN, sus aplicaciones y perspectivas de futuro.
«El GaN se ha convertido en una realidad del mercado que ha cobrado fuerza en diversos sectores», afirmó Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio de sistemas GaN de Infineon. «En Infineon, nos comprometemos a ofrecer valor a nuestros clientes de forma rápida y eficiente. Nuestro enfoque de producto a sistema, combinado con nuestra experiencia líder en fabricación y una amplia cartera de GaN, nos permite ofrecer a nuestros clientes las soluciones que necesitan para triunfar en el mercado. Nos esforzamos por mantener la posición de Infineon como socio de confianza que puede ayudar a nuestros clientes a comprender las complejidades de la tecnología GaN y a liberar todo su potencial».
Según los analistas, se espera que el mercado de semiconductores de potencia de GaN alcance casi los 3000 millones de dólares en 2030, lo que supone un aumento del 400 % en comparación con el mercado de 2025 [1]. Este rápido crecimiento está impulsado por importantes aumentos de producción, que comenzaron en 2025, ampliando la adopción de GaN en múltiples industrias y permitiendo su penetración en nuevas aplicaciones. De hecho, se espera que el mercado crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 44 % entre 2025 y 2030 [2], con proyecciones de ingresos de 920 millones de dólares en 2026, lo que representa un crecimiento del 58 % con respecto a 2025 [3].
Avances en la innovación de productos de GaN
En 2026, se espera que los diseñadores descubran nuevos usos de los conmutadores bidireccionales de GaN (BDS) más allá de los inversores solares y los cargadores integrados de vehículos eléctricos. Los conmutadores bidireccionales de GaN de alto voltaje de Infineon cuentan con un revolucionario diseño de drenaje común con una estructura de doble compuerta, que aprovecha la probada tecnología de transistores de inyección de compuerta (GIT). Esta arquitectura única permite usar la misma región de deriva para bloquear voltajes en ambas direcciones, lo que resulta en un tamaño de chip significativamente menor en comparación con las configuraciones back-to-back convencionales. Por ejemplo, al utilizar el sistema CoolGaN™ BDS de Infineon, que opera hasta 1 MHz, los microinversores solares suministran un 40 % más de potencia en un inversor del mismo tamaño, a la vez que reducen los costos del sistema.
La tecnología GaN se está expandiendo a nuevas aplicaciones
El GaN se está expandiendo a diversas industrias, incluyendo centros de datos de IA, robótica, vehículos eléctricos, energías renovables y campos emergentes como la salud digital y la computación cuántica. En el mercado de los centros de datos, las fuentes de alimentación basadas en GaN con nuevas topologías están logrando eficiencias y densidades de potencia nunca antes vistas, reduciendo las pérdidas de energía hasta en un 30 % y permitiendo la implementación de arquitecturas de centros de datos más eficientes y compactas. Los controladores de motor basados en GaN utilizados en robots humanoides pueden ser un 40 % más pequeños y aumentar el control preciso de los movimientos.
¿Por qué Infineon e Infineon GaN?
Infineon destaca como líder mundial en semiconductores de potencia, reconocido por sus soluciones innovadoras en silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y GaN. La estrategia de Fabricación Integrada de Dispositivos (IDM) de la compañía y su conocimiento de sistemas líder en la industria proporcionan tecnologías de vanguardia que satisfacen las necesidades cambiantes de las industrias. Impulsados por la fabricación de obleas de GaN de 300 milímetros, los productos de GaN de Infineon demuestran un rendimiento excepcional que genera ventajas en las aplicaciones. Por ejemplo:
- La nueva generación de productos de transistores CoolGaN 650 V G5 tiene cifras de mérito, un producto de pérdida de conducción y pérdida de conmutación, entre un 30 y un 40 % mejores que otros en la industria, lo que aumenta sustancialmente el rendimiento del sistema y los grados de libertad de diseño.
- Los innovadores productos CoolGaN Transistor MV G5 de Infineon tienen un diodo Schottky integrado monolíticamente, lo que da como resultado pérdidas un 15 % menores y una temperatura del dispositivo >10 % menor, lo que se traduce en menor tamaño y costo con mayor eficiencia y confiabilidad.
- Reforzando su posición como líder mundial en semiconductores automotrices, el nuevo producto CoolGaN Automotive 100 V de Infineon cumple con los rigurosos requisitos de la norma AEC-Q101 para abordar el cambio de aplicación de sistemas de 12 V a 48 V en las generaciones más nuevas de diseños arquitectónicos de automóviles.
Con una amplia cartera de más de 50 productos GaN, que ofrecen soluciones tanto discretas como altamente integradas, que abarcan voltajes de 40 V a 700 V destinados a aplicaciones de consumo, industriales y automotrices, Infineon proporciona un amplio conjunto de soluciones que cubren una amplia gama de aplicaciones de energía.
La tecnología GaN está en aumento para aprovechar aún más la industria de la electrónica de potencia en 2026, impulsada por su rendimiento, eficiencia y confiabilidad superiores. Como líder del mercado en tecnología GaN, Infineon se compromete a capacitar a sus clientes y socios para navegar por esta nueva frontera y dar forma a las tecnologías de eficiencia energética del mañana.
Disponibilidad
El libro electrónico GaN Insights, disponible en el sitio web de Infineon, explora el estado actual de la tecnología GaN, los productos, sus aplicaciones y las oportunidades y los desafíos que se avecinan. Descargue aquí.
