Infineon Technologies AG está impulsando su colaboración con NVIDIA en arquitecturas de alimentación de corriente continua (VCC) de 800 voltios para centros de datos de IA. Coincidiendo con la conferencia de desarrolladores GTC Berlin de NVIDIA, el anuncio se centra en el convertidor de bus intermedio (IBC) de alto voltaje, una de las etapas de conversión más críticas y exigentes en la cadena de suministro de energía de los centros de datos de IA. La tecnología de nitruro de galio (GaN) de Infineon se está consolidando como la tecnología idónea para esta etapa. Esto se basa en el trabajo conjunto de ambas compañías, anunciado por primera vez en mayo de 2025 y detallado posteriormente en octubre de 2025, que se centró en habilitar racks de servidores de 800 VCC con capacidad de mantenimiento e intercambio en caliente.
«La IA está transformando radicalmente las exigencias que planteamos a la infraestructura de energía, y los semiconductores son clave para resolver este desafío», afirmó Jochen Hanebeck, CEO de Infineon Technologies AG. “Nuestra colaboración con NVIDIA en arquitecturas de alimentación de 800 voltios muestra lo que es posible cuando la profunda experiencia en semiconductores se une al ritmo de innovación que requiere la IA. Las soluciones de sistemas basadas en nitruro de galio son un elemento clave para esta próxima generación de centros de datos, e Infineon se enorgullece de contribuir a impulsar la era de la IA desde la red hasta el núcleo”.
Impulsados por el consumo extremo de energía de las cargas de trabajo de IA, los centros de datos han adoptado arquitecturas de bus intermedio en las que un IBC reduce el voltaje del bus principal que alimenta las tarjetas aceleradoras a un riel de menor voltaje, lo que permite que las etapas posteriores generen de manera eficiente los rieles de núcleo y punto de carga ajustados que requieren los procesadores de IA. Este enfoque de múltiples etapas reduce las pérdidas de distribución, al tiempo que cumple con las estrictas restricciones de área de la placa, límites térmicos y tiempo de actividad. A medida que la infraestructura de IA se expande, se está introduciendo 800 VCC junto con las arquitecturas de CA y CC de menor voltaje existentes como una opción de distribución adicional para la computación de mayor densidad.
El nitruro de galio (GaN) es idóneo para cumplir con estos requisitos. En comparación con el silicio, el GaN permite que los dispositivos de potencia conmuten significativamente más rápido con menores pérdidas, lo que posibilita frecuencias de conmutación más altas, de hasta 1 MHz, en la etapa IBC. Esto, a su vez, permite reducir considerablemente el tamaño de los componentes magnéticos y pasivos, lo que se traduce directamente en una mayor densidad de potencia y una menor altura de las placas, una ventaja crucial dado que el espacio en los racks es un recurso cada vez más escaso en los centros de datos de IA. Al mismo tiempo, las bajas pérdidas de conducción y conmutación del GaN favorecen una eficiencia de conversión líder en su clase, lo que ayuda a limitar la generación de calor incluso cuando los niveles de potencia por rack siguen aumentando hasta alcanzar el rango de los megavatios. Estas características convierten al GaN en la tecnología de semiconductores preferida en la actualidad, capaz de satisfacer las demandas combinadas de densidad de potencia, eficiencia y respuesta transitoria rápida en la etapa IBC, una posición que Infineon ha consolidado gracias a muchos años de liderazgo en el desarrollo y la fabricación de GaN. En combinación con las familias de productos de control PSoC™ C3 y EiceDRIVER™, Infineon ofrece soluciones de sistema completas para IBC.
La cartera de GaN de Infineon admite toda la gama de relaciones de conversión requeridas en la etapa HV IBC, incluyendo 800 V a 50 V, 800 V a 12 V y 800 V a 6 V, lo que brinda a los operadores de centros de datos la flexibilidad para optimizar las arquitecturas de rack sin comprometer la densidad de potencia ni la eficiencia. Con esta combinación de alta frecuencia de conmutación, densidad de potencia y eficiencia, los interruptores de potencia de GaN se aprovechan al máximo. El liderazgo tecnológico de Infineon en semiconductores de potencia se basa en amplias capacidades de fabricación interna, así como en la experiencia en aplicaciones y sistemas acumulada durante muchos años. La cartera de la compañía abarca soluciones IBC en silicio, nitruro de galio y carburo de silicio , brindando soporte a los clientes en toda la gama de sus requisitos de diseño.
Infineon y NVIDIA colaboran a lo largo de toda la cadena de suministro de energía para centros de datos. Además de los IBC, esto también incluye soluciones de protección de la ruta de alimentación, como se anunció en octubre de 2025 , que se centran en aspectos de seguridad y servicio, como la funcionalidad del controlador de intercambio en caliente, y permiten que las futuras placas de servidor operen en arquitecturas de alimentación de 800 VCC.
Esta colaboración avanzada subraya la posición de Infineon como socio de semiconductores de alimentación de red a núcleo para la infraestructura de IA, proporcionando soluciones a lo largo de toda la cadena de suministro de energía, desde las unidades de alimentación conectadas a la red hasta el punto de carga en el procesador.
