Ces nouveaux dispositifs combinent la cellule mémoire actuelle avec des technologies CMOS avancées pour atteindre un rendement d'investissement élevé.
KIOXIA Europe GmbH a annoncé que KIOXIA Corporation a commencé à expédier des échantillons de dispositifs de mémoire TLC (Triple-Level Cell) de 1 To (térabit) intégrant sa technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de neuvième génération. Ces dispositifs sont conçus pour des applications telles que les ordinateurs et les smartphones dotés d'intelligence artificielle, qui présentent des capacités de stockage faibles à moyennes et exigent des performances élevées.
KIOXIA poursuit sa stratégie à deux axes, s'appuyant sur ses technologies innovantes CMOS Direct-Attached (CBA) et OPS (On-Pitch Select Gate Drain). Dans le cadre de cette stratégie unique, KIOXIA développe en parallèle deux gammes de produits distinctes : ses solutions de 9e génération, offrant des performances élevées à un coût d'investissement relativement faible, et sa technologie de 10e génération, qui tire parti d'un empilement de couches avancé pour atteindre une capacité considérable et des performances supérieures.
Les nouveaux dispositifs TLC BiCS FLASH™ de 1 To de 9e génération, développés à l'aide d'un processus d'empilement de 230 couches basé sur la technologie BiCS FLASH™ de 8e génération et une technologie CMOS avancée, offrent une vitesse d'interface NAND de 4,8 Go/s, ce qui représente une amélioration de 33 % par rapport aux dispositifs de 8e génération et correspond aux performances des dispositifs de 10e génération.
Guidée par sa mission d’« améliorer le monde grâce à la mémoire », KIOXIA reste déterminée à stimuler l’innovation technologique, à renforcer les collaborations internationales et à fournir des solutions de stockage avancées qui alimentent les infrastructures d’IA modernes.
