Accueil Actualité Les MOSFET SiC de 4e génération de ROHM seront utilisés dans...

Les MOSFET SiC de 4e génération de ROHM seront utilisés dans les onduleurs Hitachi Astemo pour véhicules électriques

sic-mosfet

Nous contribuerons à atteindre une plus grande autonomie et des systèmes plus petits dans les véhicules électriques, tant au Japon que dans le reste du monde, à partir de 2025

ROHM a récemment annoncé l'adoption de ses nouveaux MOSFET SiC de 4e génération et de ses circuits intégrés de commande de grille dans les onduleurs EV d'Hitachi Astemo, Ltd., l'un des principaux fabricants japonais de pièces automobiles.

L'électrification des automobiles progressant rapidement vers une société décarbonée, il est aujourd'hui nécessaire de développer des systèmes de motorisation électrique plus performants, compacts et légers.

Surtout dans les véhicules électriques (EV), l'onduleur, qui joue un rôle fondamental dans le système d'entraînement, doit être plus efficace pour étendre l'autonomie et réduire la taille de la batterie embarquée, ce qui suscite des attentes pour les dispositifs d'alimentation SiC.

En tant que premier fournisseur au monde à démarrer la production de masse de MOSFET SiC en 2010, ROHM continue de développer des technologies de dispositifs de puissance SiC leaders sur le marché. Parmi eux se trouvent les derniers MOSFET SiC de 4e génération de ROHM, qui offrent un temps de résistance aux courts-circuits amélioré ainsi que la plus faible résistance à l'état passant de l'industrie, permettant aux véhicules d'étendre leur autonomie tout en réduisant la consommation d'énergie de 6 % par rapport aux IGBT (calculée à l'aide le test d'efficacité énergétique WLTC, en tant que norme internationale) lorsqu'il est installé sur l'onduleur principal.

Dans le même temps, Hitachi Astemo, qui développe depuis plusieurs années des technologies de pointe pour les moteurs de véhicules et les onduleurs, a déjà une expérience considérable sur le marché de plus en plus populaire des véhicules électriques. Cependant, c'est la première fois que des dispositifs SiC sont adoptés pour le circuit onduleur principal afin d'améliorer encore les performances. La fourniture d'onduleurs aux constructeurs automobiles devrait commencer à partir de 2025, d'abord au Japon, puis dans le monde entier.

À l'avenir, en tant que fournisseur leader de dispositifs d'alimentation SiC, ROHM continuera à renforcer sa gamme et à fournir des solutions d'alimentation qui contribuent à l'innovation technique dans les véhicules en combinant des technologies de dispositifs périphériques, tels que des circuits intégrés de contrôle, conçus pour maximiser les performances.