Toshiba présente de nouveaux MOSFET à canal P -60 V
De nouveaux appareils réduiront la consommation d'énergie dans les applications automobiles
Toshiba Electronics Europe GmbH annonce la disponibilité de deux autres MOSFET à canal P de -60 V basés sur son processus U-MOS VI. Cela élargira sa gamme de dispositifs adaptés à une utilisation dans les applications automobiles telles que les commutateurs de charge, les relais à semi-conducteurs et les entraînements de moteur.
Les nouveaux XPH8R316MC et XPH13016MC répondent déjà à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. Dans ce cadre, ils sont hébergés dans un boîtier SOP Advance (WF), un type de SMT avec une structure terminale à flanc mouillable. Cela facilite l’inspection optique automatisée (AOI) des joints de soudure, clé de la fiabilité dans les environnements automobiles difficiles. Un avantage supplémentaire est la connectivité en cuivre à l'intérieur du boîtier, qui réduit la résistance du boîtier, améliore l'efficacité et réduit l'accumulation de chaleur.
Le XPH8R316MC est conçu pour un courant de drain continu (ID) de -90 A et 13016 A, respectivement. Les deux appareils sont conçus pour une tension drain-source (VDSS) de -60 V et peuvent fonctionner à des températures de canal (Tch) allant jusqu'à 180 °C.
La résistance drain-source maximale (RDS(ON)) du XPH8R316MC est de 8,3 mΩ, soit environ 25 % de moins que celle du TPCA8123 existant de Toshiba. Dans le cas du XPH13016MC, la valeur est de 12,9 mΩ, soit environ 49 % de moins que celle du TPCA8125. Ces valeurs RDS(ON) très faibles contribuent de manière significative à réduire la consommation d'énergie au sein des applications automobiles.
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