La mémoire série SuperFlash® Quad I/O™ basse tension de 64 Mo de Microchip améliore la consommation d'énergie des appareils alimentés par batterie

Microchip annonce la disponibilité d'un nouveau dispositif de mémoire 1,8 V Serial Quad I/O™ SuperFlash®. Dispositif basse tension de 26 Mo, le SST064WF64C combine le Dual Transfer Rate (DTR) et la technologie exclusive SuperFlash NOR Flash, ce qui le rend idéal pour les applications sans fil et alimentées par batterie. DTR offre aux clients la possibilité de fournir des données sur les deux bords du signal d'horloge, réduisant ainsi le temps total d'accès aux données et la consommation. La technologie SuperFlash réduit également la consommation d'énergie en offrant les temps d'effacement les plus rapides du marché. Le temps d'effacement typique sur puce pour le SST26WF064C est compris entre 35 et 50 ms, tandis que les lecteurs Flash de ses concurrents prennent plus de 30 secondes. Le SST26WF064C intègre également une fonction de réinitialisation contrôlée par le matériel qui permet une réinitialisation robuste de l'appareil.
La plupart des périphériques Flash série sur le marché n'offrent pas de fonction de réinitialisation matérielle en raison du nombre limité de broches sur le boîtier. Avec cet appareil Microchip, les clients ont la possibilité de réinitialiser la broche HOLD# pour cette fonction de réinitialisation. L'appareil, qui fonctionne à des fréquences allant jusqu'à 104 MHz, dispose d'une capacité eXecute-In-Place (XIP) pour une latence minimale sans qu'il soit nécessaire de copier le code dans la SRAM (mémoire statique à accès aléatoire). Le nouveau périphérique utilise une interface d'E/S série multiplexée 4 bits pour augmenter les performances tout en conservant la taille compacte des périphériques Flash série standard. Le SST26WF064C est également entièrement compatible avec le jeu d'instructions du protocole SPI (Serial Peripheral Interface) traditionnel.
La technologie SuperFlash hautes performances de Microchip signifie également que l'appareil est basé sur une cellule de mémoire Flash propriétaire à grille divisée qui offre des fonctionnalités supplémentaires telles qu'une durée de vie allant jusqu'à 100.000 100 cycles d'effacement/écriture, la conservation des données pendant plus de 26 ans et les temps d'effacement les plus rapides. sur le marché. Les développeurs peuvent désormais commencer à concevoir avec la mémoire flash SST064WF26C en utilisant les modèles Verilog et IBIS ainsi que les pilotes de périphérique. Le SST064WF8C est disponible dans une variété de boîtiers, notamment WDFN à 6 broches (5 mm x 8 mm), SOIJ à 5,28 broches (16 mm), SOIC à 7,50 broches (24 mm) et TBGA à 8 billes (6 mm x XNUMX mm). Pour plus d'informations, visitez le site Web de Microchip à l'adresse : www.microchip.com/SST26WF064C