Die neuen Bauelemente kombinieren die aktuelle Speicherzelle mit fortschrittlichen CMOS-Technologien, um eine hohe Investitionseffizienz zu erzielen.
KIOXIA Europe GmbH hat bekannt gegeben, dass die KIOXIA Corporation mit der Auslieferung von Mustern ihrer 1-TB-TLC-Speicherbausteine (Triple-Level Cell) begonnen hat. Diese Bausteine nutzen die 3D BiCS FLASH™-Flash-Speichertechnologie der neunten Generation. Sie sind für Anwendungen wie KI-gestützte Computer und Smartphones konzipiert, die über geringe bis mittlere Speicherkapazitäten verfügen und hohe Leistung erfordern.
KIOXIA verfolgt weiterhin eine Zwei-Achsen-Strategie, basierend auf seiner innovativen CMOS Direct-Attached (CBA)-Technologie und On-Pitch Select Gate Drain (OPS)-Technologie. Im Rahmen dieser einzigartigen Zwei-Achsen-Strategie entwickelt KIOXIA parallel zwei unterschiedliche Produktlinien: Lösungen der 9. Generation, die hohe Leistung bei vergleichsweise geringen Investitionskosten bieten, und die Technologie der 10. Generation, die durch fortschrittliches Layer-Stacking enorme Kapazität und überlegene Leistung erzielt.
Die neuen 1-TB-BiCS-FLASH™-TLC-Bausteine der 9. Generation, die unter Verwendung eines 230-lagigen Stapelprozesses auf Basis der BiCS-FLASH™-Technologie der 8. Generation und fortschrittlicher CMOS-Technologie entwickelt wurden, bieten eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 GB/s, was einer Verbesserung von 33 % gegenüber Bausteinen der 8. Generation entspricht und der Leistung von Bausteinen der 10. Generation entspricht.
Geleitet von seiner Mission, „die Welt mit ‚Speicher‘ zu verbessern“, setzt KIOXIA weiterhin auf technologische Innovationen, die Stärkung internationaler Kooperationen und die Bereitstellung fortschrittlicher Speicherlösungen, die die moderne KI-Infrastruktur unterstützen.
