- Infineon und Eaton schließen sich zusammen, um die Technologie der Festkörpertransformatoren (SST) voranzutreiben.
- Diese Zusammenarbeit trägt der Nachfrage nach effizienteren Energieumwandlungslösungen in KI-Rechenzentren Rechnung.
- Die Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente von Infineon tragen zur Verbesserung der Effizienz, der Leistungsdichte und der Systemzuverlässigkeit der SST-Plattform von Eaton bei.
Infineon Technologies AG liefert Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter (SiC) an Eaton, ein Unternehmen für intelligentes Energiemanagement. Diese werden in der Plattform „MVSST 2.0“ (Mittelspannungs-Festkörpertransformator) eingesetzt, die für den Einsatz im asiatisch-pazifischen Raum konzipiert ist. Die Zusammenarbeit trägt dazu bei, die Effizienz und Zuverlässigkeit der Stromwandlung zu erhöhen, die für die Anbindung von KI-Rechenzentren an das Stromnetz erforderlich ist. Der Fokus liegt dabei auf 800-Volt-Gleichstrom-Stromverteilungsarchitekturen für Rechenzentren.
Die rasante Expansion von KI-Rechenzentren und der steigende Energiebedarf treiben die Nachfrage nach effizienteren Methoden zur Anbindung hochdichter Recheninfrastrukturen an das Stromnetz voran. Gleichzeitig beschleunigen Fortschritte bei Mittelspannungs-Gleichstromverteilungstechnologien den Bedarf an Stromwandlungslösungen der nächsten Generation, die Effizienz, Leistungsdichte, Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit verbessern.
„Mit dem stetig wachsenden Energiebedarf von KI-Rechenzentren und industriellen Anwendungen steigt auch der Bedarf an effizienter, zuverlässiger und nachhaltiger Energiewandlung“, sagte Andreas Weisl, Executive Vice President und Vertriebsleiter der Division Industrial & Infrastructure von Infineon. „Durch die Zusammenarbeit mit Eaton wollen wir die Technologie von Halbleitertransformatoren weiterentwickeln und zur Entwicklung einer skalierbareren, effizienteren und nachhaltigeren Infrastruktur für die KI-Rechenzentren der Zukunft beitragen.“
„Angesichts der steigenden Anforderungen an Energieeffizienz, Systemzuverlässigkeit und Skalierbarkeit in KI-Rechenzentren ist es unser Ziel, die Entwicklung und den Einsatz der SST-Technologie voranzutreiben. Damit wollen wir einen Mehrwert für Rechenzentrums- und Netzbetreiber sowie für den Sektor der erneuerbaren Energien schaffen“, sagte David Zheng, Vice President of Power Quality R&D für die Region Asien-Pazifik bei Eaton. „Die fortschrittliche SiC-Technologie von Infineon unterstützt uns dabei, die Einführung dieser Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation zu beschleunigen.“
Die MVSST 2.0-Plattform von Eaton wurde für hochdichte IT-Infrastrukturen und neuartige Stromverteilungsarchitekturen für 800-VDC-KI-Rechenzentren entwickelt. Im Vergleich zu herkömmlichen Architekturen reduziert sie die Anzahl der Wandlungsstufen und verbessert so Effizienz, Leistungsdichte und Flexibilität beim Einsatz. Als eine der ersten Mittelspannungs-Festkörpertransformatorplattformen mit IEC-Zertifizierung kombiniert sie fortschrittliche Siliziumkarbid-Technologie mit Eatons Expertise in der Stromverteilung und -wandlung und unterstützt damit die Strominfrastruktur der nächsten Generation.
Mit Blick auf die Zukunft erforschen Eaton und Infineon SST-Plattformen der nächsten Generation auf Basis von 2,3 kV und 3,3 kV SiC-Leistungsmodulen, um höhere Systemspannungen, größere Effizienz und erhöhte Zuverlässigkeit für zukünftige KI-Rechenzentren, die Modernisierung von Stromnetzen und Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien zu unterstützen.
