Toshibas neuer 600-V-24-mΩ-MOSFET verbessert die Effizienz der Stromversorgung
TK024N60Z1 bietet den niedrigsten Durchlasswiderstand in der 600-V-DTMOSVI-Serie
Um der wachsenden Marktnachfrage nach höherer Effizienz in Stromkreisen gerecht zu werden, hat Toshiba Electronics Europe GmbH einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET auf den Markt gebracht. Der neue TK024N60Z1 verwendet den bewährten DTMOSVI 600V-Serienprozess mit einer Super-Junction-Struktur, um einen niedrigen Einschaltwiderstand zu erreichen und Leitungsverluste zu reduzieren. Zu den Anwendungen gehören Server in Rechenzentren, Schaltnetzteile für Industrieanlagen und Spannungsaufbereiter für Photovoltaikgeneratoren.
Der TK024N60Z1 verfügt über einen Drain-Source-Widerstand RDS (EIN) von 0,024 Ω (max.), dem niedrigsten Wert der DTMOSVI 600 V-Serie. Es verbessert außerdem die Effizienz der Stromversorgung und verringert die Wärmeentwicklung. In Kombination mit dem TO-247-Gehäuse, das eine hohe Wärmeableitung bietet, verfügt der TK024N60Z1 über gute Wärmemanagementeigenschaften.
Wie andere MOSFETs der DTMOSVI 600-V-Serie profitiert der TK024N60Z1 von einem optimierten Gate- und Prozessdesign und -layout. Dadurch verringert sich der Drain-Source-Widerstandswert pro Flächeneinheit um etwa 13 %. Noch wichtiger ist, dass der Drain-Source-Widerstand x Gate-Drain-Ladung im Vergleich zu Produkten der konventionellen Generation der DTMOSIV-H-Serie von Toshiba bei gleicher Drain-Source-Spannung um etwa 52 % reduziert ist. Dies bedeutet, dass die DTMOSVI-Serie, einschließlich des TK024N60Z1, ein besseres Gleichgewicht zwischen Leitungsverlusten und Schaltverlusten bietet und so zur Verbesserung der Effizienz von Schaltnetzteilen beiträgt.
Um die Effizienz der Stromversorgung weiter zu verbessern, bietet Toshiba Tools an, die das Schaltungsdesign für Schaltnetzteile unterstützen. Dazu gehören das G0-SPICE-Modell, mit dem sich die Schaltungsfunktion schnell überprüfen lässt, und die hochpräzisen G2-SPICE-Modelle, die Übergangsmerkmale reproduzieren.
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TK024N60Z1 ist ein Beispiel für Toshibas Engagement, die DTMOSVI-Serie kontinuierlich auszubauen und die Energieeinsparung durch die Reduzierung des Leistungsverlusts in Schaltnetzteilen zu unterstützen.
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